| 发明名称 | 氧碳、假氧碳和轴烯化合物及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氧碳、假氧碳和轴烯化合物，及其作为用于掺杂有机半导体基体材料的掺杂剂、作为阻断材料、作为电荷注入层、作为电极材料以及有机半导体的用途，还涉及使用了它们的电子元件以及有机半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101330129A | 申请公布日期 | 2008.12.24 |
| 申请号 | CN200810210372.1 | 申请日期 | 2008.04.30 |
| 申请人 | 诺瓦莱德公开股份有限公司 | 发明人 | 霍斯特·哈特曼;奥拉夫·蔡卡;安德利亚·卢克斯;斯特芬·维尔曼 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01);H01L51/30(2006.01);H01L51/46(2006.01);H01L51/54(2006.01);C07C49/39(2006.01);C07C255/31(2006.01);C07C255/51(2006.01);C07C261/04(2006.01);C07D333/24(2006.01);C07D213/06(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.有机内消旋化合物作为用于掺杂有机半导体基体材料的有机掺杂剂、作为阻断层、作为电荷注入层或作为有机半导体本身的用途，其特征在于，该内消旋化合物是具有下式的氧碳、假氧碳或轴烯化合物：<img file="A2008102103720002C1.GIF" wi="586" he="316" />其中n＝1-4；每一个X<sub>1</sub>、X<sub>2</sub>、X<sub>3</sub>、X<sub>4</sub>和X<sub>5</sub>独立地选自C(CN)<sub>2</sub>、(CF<sub>3</sub>)C(CN)、(NO<sub>2</sub>)C(CN)、C(卤素)<sub>2</sub>、C(CF<sub>3</sub>)<sub>2</sub>、NCN、O、S、NR<sub>1</sub>，<img file="A2008102103720002C2.GIF" wi="1769" he="1064" /><img file="A2008102103720003C1.GIF" wi="1598" he="695" />其中Y＝CN、NO<sub>2</sub>、COR<sub>1</sub>或者是全卤素取代的烷基；芳基或Ar是取代或未取代的芳烃或者联芳基，任选是多环的；杂芳基是取代或未取代的芳族杂环化合物或者二杂芳基，优选贫电子的、任选多核的或者部分或全部氢化或者氟化的；和R<sub>1</sub>-R<sub>8</sub>独立选自氢、卤素、CN、NO<sub>2</sub>、COR<sub>1</sub>、烷基、烷氧基、芳基或杂芳基。 | ||
| 地址 | 德国德雷斯顿 | ||