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Es wird ein Halbleiterbauelement geschaffen, welches die Entwicklung lokalisierter Durchbrüche an der Halbleiterseitenwand verhindert, wobei er eine stabilisierte gewünschte Durchbruchspannung aufweist. Es umfasst einen p-leitenden dritten Halbleiterbereich, der an einer ersten Hauptfläche eines n-leitenden Halbleiterkörpers ausgebildet ist, einen n-leitenden zweiten Halbleiterbereich, der selektiv bei dem Zentrum einer zweiten Hauptfläche ausgebildet ist, einen n-leitenden ersten Halbleiterbereich, der zwischen dem dritten und dem zweiten Halbleiterbereich ausgebildet ist, sowie einen n-leitenden vierten Halbleiterbereich, der den ersten und den zweiten Halbleiterbereich umgibt. Die Störstellenkonzentration des ersten Halbleiterbereichs ist höher festgelegt als die des vierten Halbleiterbereichs.
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