| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치상에 불소화 보로포스포실리케이트 유리(FBPSG)를 최종 유전체 필름 또는 층간 유전체 필름으로서 침착시키는 방법에 관한 것이다. 6:1보다 큰 종횡비를 갖는 간극은 약 480℃의 온도, 약 200Torr의 대기압 미만의 압력에서 실질적으로 공극없는 FBPSG 필름으로 충전된다. 상기 방법에 사용되는 기체 반응물로는 오존/산소 혼합물과 함께 테트라에틸오르토실리케이트(TEOS), 플루오로트리에톡시실란(FTES), 트리에틸포스페이트(TEPO), 트리에틸보레이트(TEB)를 포함하는 것이 바람직하다. 표면 미소결정 결함과 흡습성이 방지되도록 붕소 도판트 농도와 인 도판트 농도는 충분히 낮다. 보다 낮은 종횡비의 간극에서 침착된 필름은 실질적으로 공극을 함유하지 않아 필름의 후속 어닐링이 필요하지 않다. 보다 높은 종횡비의 간극내로 침착된 필름은 대부분의 동적 랜덤 액세스 기억 장치(DRAM), 논리 칩, 논리-DRAM 결합칩의 열수지 범위내의 약 750℃ 이하에서 어닐링된다. 생성된 FBPSG 층은 붕소 약 5.0중량% 이하, 인 약 4.0중량% 미만, 불소 약 0.1중량% 내지 2.0중량%을 함유한다.</p> |
