发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
摘要
申请公布号 DE69712684(D1) 申请公布日期 2002.06.27
申请号 DE1997612684 申请日期 1997.07.09
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 PAL GOSAIN, DHARAM;NAKAGOE, MIYAKO;JIYONASAN, UESUTOOOTAA;USUI, SETSUO
分类号 H01L21/02;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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