| 发明名称 |
宽字线三维存储器 |
| 摘要 |
在基于二极管的宽字线三维存储器中，字线线宽最好大于位线线宽。这是因为：1)二极管存储器的成品率对字线缺陷较为敏感(位线缺陷较易纠正)；2)在读过程中，字线需要给多根位线提供电流，其方块电阻最好具有较小值。 |
| 申请公布号 |
CN101459179A |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
| 申请号 |
CN200810184957.0 |
申请日期 |
2005.11.14 |
| 申请人 |
张国飙 |
发明人 |
张国飙 |
| 分类号 |
H01L27/10(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G11C17/06(2006.01)I;G11C17/10(2006.01)I;G06F21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1. 一种宽字线三维存储器，其特征在于含有：一衬底；至少一叠置在所述衬底上并与所述衬底耦合的二极管存储层，该二极管存储层含有多个二极管存储元(140、141...)和多条字线(120、121)和位线(130、131...)，在读操作时，读电流由一条字线通过多个二极管存储元流向多条位线；所述字线的线宽大于所述位线的线宽。 |
| 地址 |
610051四川省成都市建设路59号5A-001信箱 |
