| 摘要 |
本发明系提供在将BaTiO#sB!3#eB!的部分Ba利用Bi-Na进行取代的半导体瓷器组成物中，能抑制 烧步骤中的Bi挥散情形，防止Bi-Na之组成偏差俾抑制异相之生成，且能使室温中的电阻率进一步降低，并可抑制居里温度变动的半导体瓷器组成物和其制造方法。分别准备Ba(TiM)O#sB!3#eB! 烧粉(M系半导体化元素)与(BiNa)TiO#sB!3#eB! 烧粉，将Ba(TiM)O#sB!3#eB! 烧粉依较高温，而将(BiNa)TiO#sB!3#eB! 烧粉依较低温，分别依各自对应的最佳温度施行 烧，藉此可抑制Bi之挥散，防止Bi-Na组成偏差，俾能抑制异相之生成，将该等 烧粉进行混合，经成形、烧结，可获得室温中的电阻率低且经抑制居里温度变动的半导体瓷器组成物。 |
