发光二极体结构及其制造方法

摘要

一种发光二极体的结构及其制造方法,运用高反射率的布拉格反射结构来增加发光二极体的亮度,以避免发出的光被基板吸收掉。是在垂直堆叠的发光二极体晶粒结构中的基板上方提供高铝含量砷化铝镓/磷化铝镓铟层或高铝含量砷化铝镓/低铝含量砷化铝镓层来形成高反射率布拉格反射结构,用以反射发光二极体所产生的光,且反射的波长可以涵盖很宽波长范围。其所制造的发光二极体,其发光的亮度可以很显著的被提升。

主权项

1、一种发光二极体的结构，至少包括基板二侧具有第一与第二表面，其特征在于：该第一表面上具有第一电极；发光二极体磊晶结构形成于基板的第二表面上，该发光二极体磊晶结构是由多层III-V族化合物半导体磊晶层所组成，其中包含一发光的活性层及一布拉格反射层位于基板舆发光的活性层之间，且该布拉格反射层有部分区域被氧化；第二电极形成于该发光二极体磊晶结构上。