| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에서 비트라인으로 텅스텐을 적용할 때, 후속 공정인 캐패시터 형성시의 열 공정등에 의해 발생하는 텅스텐 비트라인의 산화 현상을 억제하기 위하여, 텅스텐 비트라인을 형성한 후 질소 분위기에서의 열처리 혹은 질소 분위기에서의 플라즈마 처리와 같은 질화 처리를 통해 텅스텐 비트라인 측벽을 변화시켜 텅스텐 질화막을 형성하므로, 후속 열공정에 의한 텅스텐 비트라인의 산화 및 리프팅 현상을 억제할 수 있어 소자 제품의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 비트라인 형성 방법에 관하여 기술된다.</p> |
