| 发明名称 | 制造含结晶硅有源层的薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一个制造含结晶硅有源层薄膜晶体管(TFT)的方法,其中诱发有源层结晶的金属从门电极得到补偿,使用掩膜以在有源层中形成轻掺杂漏(LDD)区或者补偿结区。TFT包含金属诱发结晶的硅有源层,LDD区或在沟道区附近形成的补偿结区。该制造TFT的方法不需要附加光刻胶层的形成步骤来形成金属补偿结区,它通过在金属补偿结区低浓度掺杂形成LDD区。因此,按本发明制造的晶体管在关态有低的漏电流和在开态有稳定的电气特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1355554A | 申请公布日期 | 2002.06.26 |
| 申请号 | CN01141577.0 | 申请日期 | 2001.10.22 |
| 申请人 | PT普拉斯有限公司 | 发明人 | 朱承基;李石运 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/00;H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马娅佳 |
| 主权项 | 1、一种制造薄膜晶体管的方法，它包含以金属诱发结晶法结晶的硅有源层，及在上述有源层中形成的门电极、轻掺杂(LDD)漏区或者补偿结区，其特征在于，所述方法的步骤有：用所述有源层的沟道区补偿所述诱发结晶的金属，通过使用掩膜以形成所述的LDD区或者所述的补偿结区。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||