发明名称 |
Acid polishing slurry for the chemical mechanical polishing of SiO2-isolation layers |
摘要 |
Eine saure Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren, enthaltend 0,1 bis 5 Gew.-% eines kolloidalen Siliciumdioxid-Abrasivs und 0,5 bis 10 Gew.-% eines Fluoridsalzes, zeichnet sich durch eine höhere Polierselektivität bezüglich der Geschwindigkeit zum Entfernen von Siliciumdioxid gegenüber Siliciumnitrid im Vergleich mit einer herkömmlichen Polierslurry mit pyrogener Kieselsäure aus.
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申请公布号 |
EP1217651(A1) |
申请公布日期 |
2002.06.26 |
申请号 |
EP20010128487 |
申请日期 |
2001.12.07 |
申请人 |
BAYER AG |
发明人 |
VOGT, KRISTINA, DR.;PUPPE, LOTHAR, DR.;MIN, CHUN-KUO;CHEN, LI-MEI, DR. |
分类号 |
B24B37/00;C09C1/68;C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/3105;(IPC1-7):H01L21/321;H01L21/306 |
主分类号 |
B24B37/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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