| 发明名称 | 畴壁位移磁光记录介质、及用于其的复制方法和设备 | ||
| 摘要 | 一种磁光记录介质,其中在通过根据由光束形成的且具有最大温度Tr的温度分布移动畴壁而放大记录磁畴的同时,复制信息。该记录介质包括:一个复制层,其中移动畴壁一个记录层,用来保持与信息相对应的一个记录磁畴;及一个截断层,布置在复制层与记录层之间,并且具有比复制层和记录层低的居里温度。记录介质满足如下条件:(Tr－RT)/(Tc<SUB>2</SUB>－RT)≥1.8其中Tc<SUB>2</SUB>:所述截断层的居里温度,以及RT:室温。 | ||
| 申请公布号 | CN1355527A | 申请公布日期 | 2002.06.26 |
| 申请号 | CN01137436.5 | 申请日期 | 2001.11.13 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 广木知之 |
| 分类号 | G11B11/10;G11B7/00 | 主分类号 | G11B11/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯谱 |
| 主权项 | 1.一种磁光记录介质，其中在通过根据由光束形成的且具有最大温度Tr的温度分布移动畴壁而放大记录磁畴的同时，复制信息，该记录介质包括：一个复制层，其中移动畴壁；一个记录层，用来保持与信息相对应的一个记录磁畴；及一个截断层，布置在所述复制层与所述记录层之间，并且具有比所述复制层和所述记录层都低的居里温度，其中记录介质满足如下条件：(Tr-RT)/(Tc2-RT)≥1.8其中Tc2：所述截断层的居里温度，以及RT：室温。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||