ＳＯＳ基板の製造方法及びＳＯＳ基板

摘要

欠陥数が少なく、かつそのばらつきのないＳＯＳ基板を再現性よく作製でき、更に半導体製造ラインに投入可能なＳＯＳ基板の製造方法、すなわち、シリコン基板１の表面からイオンを注入してイオン注入領域３を形成し、上記シリコン基板１のイオン注入した表面とサファイア基板４の表面とを直接又は絶縁膜２を介して貼り合わせた後、上記イオン注入領域３でシリコン基板１を剥離させてサファイア基板４上にシリコン６層を有するＳＯＳ基板８を得るＳＯＳ基板の製造方法であって、上記サファイア基板４の面方位がオフ角１度以下のＣ面であることを特徴とする。