| 摘要 |
<p>본 발명은 퓨즈로 사용되는 전도성 물질의 폭을 줄여서 퓨즈 커팅시 사용되는 레이저의 파워를 줄일 수 있게 되어 레이저에 의한 디바이스의 손상을 막을 수 있는 반도체메모리 장치의 리페어 장치를 제공하는 것으로, 이를 위한 본 발명의 리페어장치는 신호라인; 상기 신호라인을 논리 하이로 프리차지하기 위한 프리차지수단; 상기 신호라인에 실린 신호를 반전/래치하여 노말셀 또는 리던던시 셀을 선택하기 위한 제어신호를 출력하는 반전/래치수단; 상기 신호라인의 임의의 노드와 접지전원단 사이에 소스-드레인 경로가 접속된 제1트랜지스터; 어드레스신호입력단과 상기 제1트랜지스터의 게이트단 사이에 접속된 퓨즈; 상기 퓨즈가 커팅되고 상기 어드레스신호입력단으로 어드레스신호가 활성화되어 입력될때 상기 제1트랜지스터를 턴-오프시키기 위한 제2트랜지스터; 및 상기 퓨즈가 커팅되고 상기 어드레스신호가 비활성화될 경우 상기 제1트랜지스터의 게이트단이 플로팅되는 것을 방지하기 위한 플로팅방지수단을 포함하여 이루어진다.</p> |
