SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
<p>다층 구리 배선을 구비하는 반도체 장치에 있어서, 임의의 다층 구리 배선층의 하나 이상의 하부층에 해당하는 또 다른 구리 배선의 표면을, 20 ㎚/min 이하의 산화율로 행하는 산화에 의해 두께가 30 ㎚ 이상인 산화구리로 변화시킴으로써, 다마신 공정을 통해 구리 배선을 형성하기 위한 트렌치를 포토리소그래피에 의해 형성시에, 하부층 구리 배선으로부터 노출광의 반사를 방지하는 반도체 장치가 제공된다.</p>
