| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 제조 공정 중 층간절연막 형성 공정에 관한 것이며, BPSG막을 포함하는 층간절연막 형성시 공정시간을 단축할 수 있는 반도체 소자의 층간절연막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 평탄화를 위해서 BPSG막의 적용과 플로우 공정은 불가피하며 플로우 공정시 BPSG막 내의 불순물 확산을 방지할 수 있다면 IPO막을 적용하지 않아도 된다는데 착안하여, IPO 증착 공정을 생략하고 BPSG 증착 공정시 BPSG막 하부를 USG(Undoped Silicate Glass)화하여 기존의 전세척 공정(pre cleaning)/IPO 증착/후세척(post cleaning)/BPSG 증착/플로우(flow) 공정을 전세척 공정/BPSG 증착/플로우 공정으로 대체하여 층간절연막 형성에 요구되는 공정 시간을 단축시킨다.</p> |
