| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,包括:提供一基底,在该基底上具有一闸极;在该闸极之侧壁形成一补偿间隙壁;进行一薄氧回火步骤;以该闸极和该补偿间隙壁为罩幕,进行一第一离子植入步骤,以在该基底中形成一浅掺杂汲极区;在该补偿间隙壁之外侧形成一间隙壁;以及以该闸极、该补偿间隙壁和该间隙壁为罩幕,进行一第二离子植入步骤,以在该基底中形成一源/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该薄氧回火步骤之温度约为800℃左右。3.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该闸极之剖面宽度约为0.22m左右。4.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该补偿间隙壁之厚度约为0.015m左右。5.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该补偿间隙壁之材质包括二氧化矽。6.一种半导体元件之制造方法,包括:提供一基底,在该基底上具有一闸极;在该闸极侧壁上形成一补偿间隙壁;进行一薄氧回火步骤;以及以该闸极和该补偿间隙壁为罩幕,进行一离子植入步骤,以在该基底中形成一浅掺杂汲极区。7.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该薄氧回火步骤之温度约为800℃左右。8.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该闸极之剖面宽度约为0.22m左右。9.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该补偿间隙壁之厚度约为0.015m左右。10.如申请专利范围第1项所述之一种半导体元件之制造方法,其中该补偿间隙壁之材质包括二氧化矽。图式简单说明:第1A图至第1C图,所绘示系为习知金氧半导体元件的制造方法之剖面流程图;第2A图至第2C图绘示的为习知一种形成具有补偿间隙壁结构之金氧半导体元件的制造流程剖面示意图;以及第3A图至第3E图所绘示系为本发明之较佳实施例,一种半导体元件的制造方法之剖面流程图。 |
