| 主权项 |
1.一种发光二极体,在p型GaAs单结晶基板上具有分别以(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦X≦1, 0≦Y≦1)表示之p型下部包盖层,发光层,和n型上部包盖层(包含各层间之混晶比x,y互异之情况),和金属氧化物构成之窗层;其特征是:n型上部包盖层包含电子浓度互异之3层(包含3层间之混晶比x,y互异之情况,从接近发光层侧之层起,依照顺序称为第1n型层(电子浓度为n1,层厚为d1),第2n型层(电子浓度为n2,层厚度为d2),第3n型层(电子浓度为n3,层厚为d3)),该3层之电子浓度之关系成为n3>n1>n2。2.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中p型下部包盖层,发光层,和n型上部包盖层之In之混晶比(1-y)分别为0.5。3.如申请专利范围第1或2项之发光二极体,其中窗层形成与第3n型层接合。4.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中第1-第3n型层之层厚形成d1>d3≧d2之关系。5.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中第2n型层之电子浓度n2为11016cm-3≦n2≦51017cm-3。6.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中第2n型层之层厚为20nm≦d2≦200nm。7.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中第1和第2n型层之掺杂剂为Si,第3n型层之掺杂剂为Se或Te。8.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中窗层具有n型之传导性。9.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中由选自氧化铟锡,氧化铟,氧化锡,氧化锌和氧化镁之至少1种,用来构成窗层。10.如申请专利范围第9项之发光二极体,其中构成窗层之氧化锌包含铝,镓,或铟之任何一种。11.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中p型GaAs单结晶基板之电子浓度在51018-51019cm-3之范围。图式简单说明:第1图是模式图,用来表示具备有本发明之层构造之上部包盖层之剖面构造。第2图是模式图,用来表示上部包盖层内部之电子浓度之分布状况之一实例。第3图是模式图,用来表示上部包盖层内部之电子浓度之另一分布状况。第4图是实施例1之LED之平面模式图。第5图是第4图之LED之沿着虚线A-A'之剖面模式图。第6图是实施例2之LED之平面模式图。 |
