| 主权项 |
1.一种乾燥晶片之方法,系包括:第一步骤系先使用去离子水冲洗晶片,其中所述去离子水系以一高流量去离子水供应管提供所述去离子水至冲洗室中;第二步骤系再次冲洗所述晶片,并抬升所述晶片至所述去离子水之液面,且所述去离子水的排出系经溢流装置,如此,所述去离子水单向流动至单向流动装置;第三步骤系抬升原在所述去离子水液面之所述晶片至取代/乾燥区,如此在所述取代/乾燥区中之有机极性溶剂气体可取代所述晶片上之去离子水和湿气,其中所述之喷雾室系供给所述有机极性溶剂气体和钝性气体;第四步骤系于所述喷雾室仅提供所述钝性气体于取代/乾燥区中,用以除去在所述晶片上所吸附之有机极性溶剂气体。2.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述晶片从所述冲洗区移动至所述取代/乾燥区,使有机极性溶剂气体可取代所述晶片上之去离子水和湿气,而晶片在移动过程中会通过形成于去离子水表面之有机极性溶剂层。3.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述高流量去离子水供应管提供所述去离子水之流速介于30-70L/min。4.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述之单向流动装置提供所述去离子水之流速低于50L/min。5.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述有机极性溶剂系为官能基具有电子排斥力之的物质,且其沸点低于90℃,而密度小于1。6.如申请专利范围第5项所述乾燥晶片之方法,其中所述之有机极性溶剂系为有机极性溶剂甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、二异丙醇(isopropyl alcohol)、丙酮(acetone)、乙(acetonitride)、1,1,1三氯乙烷(1,1,1-trichloroethane)其中之一。7.如申请专利范围第5项所述乾燥晶片之方法,其中所述之官能基系为氢氧基(-OH)、碳氧基(C=O)、基(-CN)、卤素(-F,-Cl,-Br,-I)、硝基(-NO2)、叠氮基(N3)其中之一。8.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述之第三步骤中所述取代/乾燥区内部形成一平衡状态,而所述之平衡状态系为所述有机极性溶剂气体之吸附和脱附间之平衡。9.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述第三步骤中所述晶片完全吸附有所述有机极性溶剂气体暴露于乾燥之蒸气、水气和共沸混和物之蒸气的环境中。10.如申请专利范围第1项所述乾燥晶片之方法,其中所述其中所述第四步骤中所述钝性气体之温度介于20至80℃之间。图式简单说明:图一A为本实施例中于乾燥机使用去离子水冲洗晶片及形成有机极性溶剂气体于取代/乾燥区21的剖面示意图。图一B为本实施例中将晶片移至去离子水液面去除污染源之剖面示意图。图一C为本实施例中将晶片移至取代/乾燥区中,使有机极性溶剂蒸气取代晶片表面之水气和湿气之剖面示意图。图一D为本实施例中之取代/乾燥区仅提供钝性气体以乾燥晶片表面之剖面示意图。 |
