| 主权项 |
1.一种处理时在处理室中支撑半导体基板之平台,处理室具有一加热器及一旋转外壳,该平台包括:一本体,具有一第一支撑面以支撑基板及一第二支撑面由处理室中加热器上之旋转外壳支撑,该本体包括一石英材料,该石英材料之至少一部分系不透明以阻止加热时光子能量传送通过该部分。2.如申请专利范围第1项之平台,其中该石英材料包括该石英材料之至少一部分之涂层,而该涂层使该石英材料变成不透明。3.如申请专利范围第2项之平台,其中该涂层包括矽及碳化矽之复合膜。4.如申请专利范围第1项之平台,其中该本体包括第一及第二元件,该第一元件包括该第一支撑面,而该第二元件包括该第二支撑面及一第三支撑面,该第三支撑面支撑该第二元件上之第一元件。5.如申请专利范围第1项之平台,更包括该本体上之连接器,该连接器可旋转连接该本体与旋转外壳。6.如申请专利范围第1项之平台,其中该第一支撑面包括一凹陷支撑面,该凹陷支撑面之大小不限制热处理时基板之轴向热扩张。7.如申请专利范围第1项之平台,其中该本体包括一大致碟形本体。8.如申请专利范围第7项之平台,其中该本体包括第一及第二元件,该第一元件包括该第一支撑面,而该第二元件包括该第二支撑面及一第三支撑面,以支撑该第二元件上之第一元件。9.如申请专利范围第8项之平台,其中该第二元件包括一中央开孔,该第三支撑面绕着该中央开孔延伸,而该第一元件覆盖该中央开孔。10.一种处理时在处理室中支撑半导体基板之平台,处理室具有一加热器及一旋转外壳,该平台包括:一第一元件具有一第一支撑面以支撑基板;及一第二元件具有相对侧,该相对侧包括第二及第三支撑面,该第一元件支撑在该第二支撑面上,而该第三支撑面藉由旋转外壳而支撑处理室中加热器上之该第一及第二元件,而至少该第一及第二元件之一包括一石英材料,至少一部分该石英材料系不透明以限制将光从加热器传送到处理室。11.如申请专利范围第10项之平台,其中该石英材料包括该部分之涂层,该涂层使该石英材料变成不透明。12.如申请专利范围第11项之平台,其中该涂层包括矽及碳化矽之复合膜。13.如申请专利范围第10项之平台,其中该第一元件包括该石英材料。14.如申请专利范围第10项之平台,其中该第二元件包括该石英材料。15.如申请专利范围第14项之平台,其中该第二元件包括一周边部分,该周边部分绕着该第二支撑面延伸,而该第二元件之石英材料之至少周边部分系不透明。16.如申请专利范围第10项之平台,其中该第一及第二元件包括石英材料。17.如申请专利范围第11项之平台,其中该涂层在该石英材料之至少一整面延伸。18.一种处理时在处理室中支撑半导体基板之平台,处理室具有一加热器及一旋转外壳,该平台包括:一支撑元件具有一中央开孔,一具有大致平坦凹陷表面之第一侧,及一第二侧,藉由旋转外壳而支撑在处理室之加热器上,该凹陷表面可支撑基板且不限制基板之热扩张。19.如申请专利范围第18项之平台,更包括一连接器可旋转连接该支撑元件与旋转外壳。20.如申请专利范围第18项之平台,其中该支撑元件包括一周边表面绕着该凹陷表面而延伸,该凹陷表面支撑大致与该周边表面齐平之基板。21.如申请专利范围第18项之平台,其中该支撑元件包括一环形元件。22.如申请专利范围第18项之平台,更包括一插入件,该插入件支撑在该凹陷表面且盖住该中央开孔,该插入件提供基板之支撑面。23.如申请专利范围第18项之平台,其中该支撑元件包括一石英材料,该石英材料之至少一部分系不透明。24.如申请专利范围第23项之平台,其中该支撑元件包括一周边部分,该周边部分绕着该凹陷表面延伸,而至少该周边部分之石英材料系不透明。25.如申请专利范围第23项之平台,其中该石英材料包括一涂层,该涂层使该石英材料变成不透明。26.如申请专利范围第25项之平台,其中该涂层包括一材料膜,该材料选自由矽及碳化物组成之群。27.一种制造平台供高温处理时使用之方法,包括:提供一石英体,其大小可作为基板处理室平台使用;及在至少一部分石英体上形成一涂层以使石英体成为不透明。28.如申请专利范围第27项之方法,其中形成一涂层包括沈积一矽及碳化物膜。29.如申请专利范围第28项之方法,其中沈积包括均匀沈积矽及碳化物膜。30.如申请专利范围第28项之方法,其中形成包括将石英体加热到约700℃至1100℃之温度范围,同时将矽及碳化矽沈积在石英体上。31.如申请专利范围第30项之方法,其中加热包括将石英加热到约900℃至1000℃之温度范围。32.如申请专利范围第28项之方法,其中形成一涂层包括在50到400托之压力下沈积一矽及碳化矽膜。33.如申请专利范围第32项之方法,其中沈积包括在约200到350托之压力范围下沈积一矽及碳化矽膜。34.如申请专利范围第28项之方法,其中形成一涂层包括将石英体加热到700℃至1100℃之温度范围,及在约50到400托之压力范围下沈积矽及碳化矽。35.如申请专利范围第34项之方法,其中形成包括在一沈积时间中加热及沈积,该沈积时间约为2到5小时之范围。36.如申请专利范围第28项之方法,其中沈积材料包括:将石英体置于高温炉之反应器中;将有机甲矽烷气体及氢气注入室中;将石英体加热到约700℃到1100℃之温度范围;及将室加压到约50到400托之压力范围。37.如申请专利范围第36项之方法,更包括将该石英体之至少一部分盖住。38.如申请专利范围第4项之平台,其中该第一元件及第二元件之一包括至少一定位脚,而该第一元件及第二元件之另一者包括一定位脚收纳结构,用以可拆卸地连接该第一元件及第二元件。39.如申请专利范围第38项之平台,其中该定位脚收纳结构包括一槽状孔,该槽状孔不限制该第1元件及第二元件之相对轴向热扩张。40.如申请专利范围第38项之平台,其中该第一元件包括该定位脚,而该第二元件包括该定位脚收纳结构。41.如申请专利范围第4项之平台,其中该第一元件与该第二元件系轴向向内分开,因而在基板热处理时在轴向不限制该第一元件及第二元件之相对轴向热扩张。42.如申请专利范围第1项之平台,其中该本体包括复数个升起开孔,该升起开孔令基板升起脚穿过该本体以使基板从该本体之第一支撑面升起。43.如申请专利范围第4项之平台,其中该第一元件包括一上表面,该第二支撑面支撑该第一元件,因而该第一元件之上表面及基板之上表面与第二元件之上表面大致齐平。44.如申请专利范围第1项之平台,其中该本体包括一槽,该槽横向伸过该本体之至少一部分,因而在基板热处理时该槽可减少该本体中之周边应力。45.如申请专利范围第44项之平台,其中该槽包括轴向横槽从该第一支撑面之中央部分向该本体之自由端延伸。46.如申请专利范围第44项之平台,其中该槽相对该第一支撑面形成一锐角。47.如申请专利范围第1项之平台,其中该第一支撑面包括一孔状支撑面,该孔状支撑面利于基板之加热及冷却。48.一种基板处理装置,包括:一加热器;及一基板支架以支撑一基板,其中该基板支架在相对于该基板支架之相对侧上支撑该加热器,该基板支架包括一石英材料,而该石英材料之至少一部分配有装置以阻止光子能量从该加热器传送通过该部分。49.一种基板处理装置,包括:一加热器;及一基板架包括一第一元件及一第二元件,该第一元件包括一第一支撑面以支撑基板,该第二元件包括一第二支撑面以支撑该第一元件在该加热器上,该第一元件及该第二元件之至少一者包括一石英材料,而该石英材料之至少一部分配有装置以阻止光子能量从该加热器传送通过该部分。50.一种基板处理装置,包括:一加热器;及一基板支架以支撑基板,其中该基板支架在相对于该基板支架之相对侧上支撑该加热器,该基板支架包括具有一中央开孔之支撑面及绕着该中央开孔延伸之支撑面且用以支撑该第一元件,该支撑元件包括一石英材料,该石英材料之至少一部分系不透明,该支撑面包括一凹陷面,而该凹陷面配置成支撑基板且不限制基板之热扩张。51.一种制造基板支撑元件用于基板处理之方法,该方法包括:提供一石英体,其大小可撑一基板以处理该基板;及在至少一部分石英体上形成一不透明部分以使该部分石英体成为不透明。52.一种基板处理装置,包括:加热基板之装置;及支撑基板之装置,其中该支撑装置在相对于该支撑装置之相对侧上支撑该加热装置,该支撑装置包括一石英材料,而该石英材料之至少一部分配有装置以阻止光子能量从该加热装置传送通过该部分。53.一种基板处理装置,包括:加热基板之装置;及基板支撑装置以支撑基板,及在该加热装置上支撑该基板支撑装置之装置,其中该基板支撑装置包括一第一元件包含一第一支撑面以支撑基板,及一第二元件包含一第二支撑面以支撑该第一元件,该第一元件及该第二元件之至少一者包括一石英材料,而该石英材料之至少一部分配有装置以阻止光子能量从该加热装置传送通过该部分。54.一种基板处理装置,包括:加热基板之装置;及支撑基板之装置,其中该基板装置支撑在相对于该支撑装置之相对侧上支撑该加热装置,该支撑装置包括具有一中央开孔之支撑面及绕着该中央开孔延伸之支撑面,该支撑元件包括一石英材料,该石英材料之至少一部分系不透明,该支撑面包括一凹陷面,而该凹陷面配置成支撑基板且不限制基板之热扩张。图式简单说明:图1是本发明平台的分解部分剖面图,图2是平台的正视图上面支撑着半导体晶圆,图3使用图1平台的适当化学蒸气沈积反应器的立体图,图4是沿着图3线IV-IV看去的示意剖面图,图5是平台的第二实施例的正视图,图6是平台的第三实施例的正视图,图7是沿着图6线VII-VII看去的剖面图,图8是平台第四元件的分解剖面图,图9是图8平台的上视图,图10是平台第五实施例的正视图,图11是沿着图10线XI-XI看去的剖面图,图12是本发明平台的第六实施例的分解剖面图,图13是本发明平台的第七实施例的分解剖面图,图14是制造复合石英平台的方法的流程图。 |
