| 主权项 |
1.一种导电性薄膜图案基板之制造方法,其特征为具备:在绝缘性基板上形成导电性薄膜之步骤、将以具有可使在该绝缘性基板表面所形成的导电性薄膜玻璃化的化学组成之低软化点玻璃作为构成要素之厚膜绝缘层形成图案之步骤、以及使前述厚膜绝缘层领域下层的导电性薄膜与前述厚膜绝缘层玻璃化成一体之烧成步骤。2.一种导电性薄膜图案基板之制造方法,其特征为:藉由在绝缘性基板上形成导电性薄膜的步骤、在欲使前述导电性薄膜变化绝缘性的部分,印刷以具有前述可玻璃化之化学组成之低软化点玻璃粉末作为构成要素之糊状物,使厚膜绝缘层形成图案之步骤、以及使前述厚膜绝缘层领域下层的导电性薄膜与前述厚膜绝缘层玻璃化成一体之烧成步骤等,使绝缘性薄膜领域与导电性薄膜领域图案化。3.如申请专利范围第2项之导电性薄膜图案基板的制造方法,其中,前述导电性薄膜的厚度系300nm以下。4.如申请专利范围第2项或第3项之导电性薄膜图案基板之制造方法,其中,前述导电性薄膜系InSnO系、SnSbO系、ZnAlO系或是Al。5.如申请专利范围第2项或第3项之导电性薄膜图案基板之制造方法,其中,前述低软化点玻璃系磷酸系玻璃。6.如申请专利范围第4项之导电性薄膜图案基板之制造方法,其中,前述低软化点玻璃系磷酸系玻璃。7.如申请专利范围第2项或第3项之导电性薄膜图案基板之制造方法,其中,前述低软化点玻璃系SnO-P2O5-ZnO系玻璃。8.如申请专利范围第4项之导电性薄膜图案基板之制造方法,其中,前述低软化点玻璃系SnO-P2O5-ZnO系玻璃。图式简单说明:第1图之(a)至(e)为本发明第1实施型态之示意图,系萤光显示管的制程概略图。第2图之(a)至(e)为本发明第2实施型态之示意图,系场致发射显示装置的制程概略图。第3图系本发明之绝缘领域所覆盖之导电性薄膜的阻抗値之测试图案的示意图。 |
