| 主权项 |
1.一种于金属凸块制程中去除厚乾膜光阻之方法,适用于一半导体晶圆,其表面上包含有一连接垫,一保护层系覆盖住该半导体晶圆表面之所有半导体元件且具有一开口而曝露出该连接垫,该方法包括下列步骤:于该半导体晶圆表面上依序形成一障壁层以及一金属层;于该金属层上形成一具有金属凸块图案之一厚乾膜光阻层;于该金属凸块图案中形成一金属凸块;以及于一清洗槽中对该半导体晶圆震动以剥除该厚乾膜光阻。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该连接垫系由铝构成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该障壁层系由钛构成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层系由铜构成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该清洗槽更包括一JSR THB-S2化学槽,该JSR THB-S2化学槽含有四甲基氢氧化铵<3%、二甲基亚96-99%及水<3%。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对该半导体晶圆震动是藉由一震动装置来施行,该震动装置之转速为30-130rpm。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对该半导体晶圆之震动是较低于超音波震荡频率。8.一种于金属凸块制程中去除厚乾膜光阻之装置,适用于金属凸块制程中去除一半导体晶圆上之厚乾膜光阻,包括:一清洗槽,用以盛装清洗液以清洗该半导体晶圆上之厚乾膜光阻;一晶圆承载装置,用以盛装该半导体晶圆;一震动传递装置,连结该晶圆承载装置且将震动传递给该晶圆承载装置;以及一震动产生器,用以震动该震动传递装置。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该清洗槽包括一JSR THB-S2化学槽,该JSR THB-S2化学槽含有四甲基氢氧化铵<3%、二甲基亚96-99%及水<3%。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该震动产生器之震动转速为30-130 rpm。图式简单说明:第1A至1E图显示习知金属凸块之制程剖面图。第2A至2F图显示本发明实施例之于金属凸块制程中去除厚乾膜光阻之制程剖面图。第3图显示本发明实施例之去除厚乾膜光阻之装置剖面图。 |
