| 主权项 |
1.一种制造用于磁性记忆装置中之磁通量集中器的方法,包含以下的步骤:形成一包覆的数位线,包括一第一障蔽层、一磁通量集中层、一第二障蔽层及一铜(Cu)导线;沉积一介电层于该包覆的数位线之最上表面;提供至少一磁性记忆位元于该介电层上;及形成一包覆的位元线,包括一铜(Cu)导线、一第一外障蔽层、一磁通量集中层及一第二外障蔽层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成包覆数位线的步骤,包括以一耐火金属材料形成该第一障蔽层的步骤,及以钴(Co)或一钴铁(CoFe)合金材料形成该第二障蔽层,并以镍铁(NiFe)材料形成该磁通量集中层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中形成包覆数位线的步骤,包括以下步骤,以一耐火金属材料形成该第一外障蔽层,并以钴(Co)或一钴铁(CoFe)合金材料形成该第一外障蔽层的步骤,及以镍铁(NiFe)材料形成该磁通量集中层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中形成包覆数位线的步骤,包括使用一单一金属镶嵌处理来形成该包覆位元线。5.如申请专利范围第1项之方法,其中形成包覆数位线的步骤,包括使用一双重金属镶嵌处理来形成该包覆位元线。6.如申请专利范围第1项之方法,其中形成包覆数位线的步骤,包括使用一单一金属镶嵌处理来形成该包覆数位线。7.如申请专利范围第1项之方法,其中形成包覆数位线的步骤,包括使用一双重金属镶嵌处理来形成该包覆数位线。8.一种制造用于磁性记忆装置中磁通量集中器的方法,包含以下的步骤:提供至少一个磁性记忆位元;沉积一下介电层及一上介电层几近该至少一个磁性记忆位元;在该上介电层与下介电层中形成至少一个浅槽;在该至少一个浅槽中沉积一第一障蔽层;在该第一障蔽层一表面上沉积一金属系统,该金属系统包括一磁通量集中层;及图案化该金属系统以定义一铜(Cu)镶嵌位元线。9.一种制造用于磁性记忆装置中磁通量集中器的方法,包含以下的步骤:提供一介电材料;形成一包覆之数位线,包括一第一障蔽层、一磁通量集中层、一第二障蔽层及一铜(Cu)导线于该介电材料中之一部分;沉积一介电层于该包覆之数位线最上表面;提供至少一磁性记忆位元于该介电层上;及形成一包覆之位元线,包括一第一外障蔽层、一磁通量集中层、一第二外障蔽层及一铜(Cu)线,其中形成该包覆之位元线的步骤包括以下步骤:沉积一下介电层及一上介电层于该磁性记忆位元的一上表面上,该下介电层以一绝缘材料形成,且该上介电层以一绝缘材料形成;在该上介电层中蚀刻至少一个浅槽至该下介电层,以形成一浅槽用来形成一镶嵌位元线;在该下介电层中形成至少一个通道至该磁性记忆位元,以与该磁性记忆位元有实际之接触;在该至少一个浅槽及该至少一个通道中,沉积一第一障蔽层至该磁性记忆位元;沉积一金属系统于该第一障蔽层的表面上,沉积该金属系统的步骤包括的步骤为沉积一铜(Cu)种子材料在该至少一个浅槽及通道中、沉积一电镀铜(Cu)材料在该铜(Cu)种子材料的表面上、并缓冲与研磨该电镀铜(Cu)、移除该铜系统的上介电层、沉积该第一外障蔽层、该磁通量集中层、该第二外障蔽层于该电镀铜(Cu)一表面上;及图案化该金属系统,以定义一铜(Cu)镶嵌位元线。图式简单说明:图1至9为简单侧视图,示范根据本发明磁性记忆体装置制造方法的步骤。 |
