| 主权项 |
1.一种抛光垫,包括:具有微纹理之抛光表面之一层;该微纹理之特征为:i.自大约0.01微米至大约25微米之纹间表面粗糙度,Ra:ii.自大约2微米至大约40微米之尖峰:谷粗糙度,Rtm;iii.自大约1至大约10之芯粗糙度深度,Rk;iv.自大约0.1至大约5之减小之尖峰高度,Rpk:v.自大约0.1至10之减小之谷高度,Rvk;及vi.自大约0.001至大约2.0之尖峰密度,RSA。2.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中该层系由模制或烧结有机物质予以产生。3.如申请专利范围第2项之抛光垫,其中微纹理系由化学蚀刻、光成像或其组合予以形成。4.如申请专利范围第1项之抛此垫,其中该层另外包括一个有机覆盖层在底基层上;该覆盖层系由印刷或光成像予以沉积在底基层上。5.如申请专利范围第1项之抛光垫,该垫具有经模制之带组态。6.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中有机物质系由下列各物组成之群中选出:热塑性物质、热固性物质或其组合。7.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中有机物质系由下列各物组成之群中选出的一种聚合物:聚胺甲酸酯、聚-胺甲酸乙酯、聚碳酸酯、聚醯胺、聚丙烯酸酯和聚酯。8.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中聚合物层具有大约0至20%范围内之空隙体积百分数。9.如申请专利范围第1项之抛光垫,其中聚合物层具有透明和不透明两个区域。图式简单说明:图1显示:方位比曲线。图2是经使用以创造根据本发明微纹理之单点切削工具的示意图。图3是不具有任何微纹理之初制造之,均匀,无孔抛光垫的工作表面之200倍放大,扫描电子显微照片(SEM)。图4是具有利用车床上,惯例建造之单点切刷工具所作成之微纹理的初制造垫表面之200倍放大SEM。图5是具有利用车床上,多点切削工具(钻石盘)所作成之微纹理的初制造垫表面之200倍放大SEM。图6是以每分钟计之晶圆氧化物层的移除速率(y-轴)乃以初制造之未经处理垫和根据本发明之初制造垫的以分钟计,累积抛光时间(x-轴)之绘图。 |
