| 主权项 |
1.一种具有自行对准金属源/汲极之半导体元件的制造方法,包括下列步骤:在半导体基底上形成一埋藏绝缘层及一半导体层;在该半导体层之既定位置形成一浅沟槽隔离层以隔离出一主动区,该浅沟槽隔离层与该埋藏绝缘层系形成连续之绝缘层;在该半导体层上形成一闸极结构;于该闸极结构两侧侧壁形成闸极绝缘侧壁层;以该闸极绝缘侧壁层作为罩幕回蚀刻该半导体层至该埋藏绝缘层以形成源/汲极开口;以及于该源/汲极区开口形成金属源/汲极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,更包括在形成该闸极结构后于该半导体层上利用离子植入法形成扩展源/汲极。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该闸极结构是由闸极介电层、复晶矽层及氮化矽遮蔽层所构成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该闸极绝缘侧壁层是氧化矽层或氮化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,回蚀刻该半导体层系利用非等向性乾蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该金属源/汲极是由氮化钛层及钨层所构成。7.一种具有自行对准金属源/汲极之半导体元件的制造方法,包括下列步骤:在半导体基底上形成一埋藏绝缘层及一半导体层;在该半导体层之既定位置形成一浅沟槽隔离层以隔离出一主动区,该浅沟槽隔离层与该埋藏绝缘层系形成连续之绝缘层;在该半导体层上形成一闸极结构;于该半导体层上形成扩展源/汲极。于该闸极结构两侧侧壁形成闸极绝缘侧壁层;以该闸极绝缘侧壁层作为罩幕回蚀刻该半导体层至该埋藏绝缘层以形成源/汲极开口;以及于该源/汲极区开口形成金属源/汲极。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,形成该扩展源/汲极是利用离子植入法来完成。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,该闸极结构是由闸极介电层、复晶矽层及氮化矽遮蔽层所构成。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,该闸极绝缘侧壁层是氧化矽层或氮化矽层。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,回蚀刻该半导体层系利用非等向性乾蚀刻制程或反应离子蚀刻制程。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,该金属源/汲极是由氮化钛层及钨层所构成。图式简单说明:第1图系显示系显示日立公司(Hitachi Ltd.)所发表之具有金属源/汲极之半导体元件的结构之剖面图。第2A-2E图系显示本发明实施例之具有自行对准金属源/汲极之半导体元件之制程剖面图。 |
