发明名称 供以具低电介质常数之聚合体为主的绝缘材料之层进行机械化学抛光用之组成物
摘要 一种机械化学抛光具有以抵介电常数聚合物为主的绝缘材料层用之组合物,该组合物包含一种酸水性悬浮液,其是由含有未藉矽氧烷键彼此相连之分立胶体矽氧分子的阳离子化胶体矽氧及作为悬浮介质的水所组成;机械化学抛光具以抵介电常数聚合物为主的绝缘材料层之方法;以及机械化学抛光具有以低介电常数聚合物为主的绝缘材料之磨蚀剂。
申请公布号 TW491886 申请公布日期 2002.06.21
申请号 TW089107528 申请日期 2000.04.21
申请人 克拉里特()股份有限公司 发明人 雅基诺 埃里克;勒图尔纳 帕斯卡;里瓦隆 莫里斯
分类号 C09K3/14;C09G1/02;H01L21/3105 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种机械化学抛光以低介电常数聚合物为主的 绝缘材料层用之组合物,其特征在于抛光组合物包 含一种酸水性悬浮液,其组成为阳离子化胶体矽氧 其含有分立胶体矽氧粒子,彼此间未藉矽氧烷键相 连及水作为悬浮介质。2.如申请专利范围第1项之 机械化学抛光组合物,其中胶体矽氧之酸水性悬浮 液系藉铝、铬、镓、钛、锆阳离子化。3.如申请 专利范围第2项之机械化学抛光组合物,其中胶体 矽氧之酸水性悬浮液系藉氢氯化铝阳离子化。4. 如申请专利范围第1至3项中任一项之机械化学抛 光组合物,其中该组合物具有pH为1至6。5.如申请专 利范围第4项之机械化学抛光组合物,其中该组合 物具有pH为2至4。6.如申请专利范围第4项之机械化 学抛光组合物,其中该组合物包含彼此未藉矽氧烷 键相连的分立矽氧粒子,且具有直径于3至250毫微 米。7.如申请专利范围第6项之机械化学抛光组合 物,其中该组合物包含彼此未藉矽氧烷键相连的分 立矽氧粒子,且具有直径于10至50毫微米。8.一种机 械化学抛光以低介电常数聚合物为主的绝缘材料 层之方法,其中该绝缘材料层之磨蚀系使用含磨蚀 剂之织物摩擦该层进行,其特征在于磨蚀剂含有一 种酸水性悬浮液,其是由含有未藉矽氧烷键彼此相 连之分立胶体矽氧粒子的阳离子化胶体矽氧及作 为悬浮介质的水所组成。9.如申请专利范围第8项 之机械化学抛光方法,其中该以低介电常数聚合物 为主的绝缘材料为西尔克(SiLK )类别。10.一种磨 蚀剂其可用于机械化学抛光以低介电常数聚合物 为主的绝缘材料层,该磨蚀剂包含一织物浸渍以酸 水性悬浮液,其是由未藉矽氧烷键彼此相连,pH于1 至6问,直径于3至250毫微米间之分立胶体矽氧粒子 的阳离子化胶体矽氧及作为悬浮介质的水所组成 。
地址 法国