| 主权项 |
1.一种探针构造方法,包括: (a)提供基体; (b)在该基体内产生第一凹部; (c)把导电性材料定位在该凹部内; (d)将导电性痕迹连接于该导电性材料; (e)施加隔膜以支持该导电性材料;以及 (f)从该导电性材料除去该基体者。2.如申请专利 范围第1项之方法,其中该凹部系使用工具产生者 。3.如申请专利范围第2项之方法,又包含步骤为, 对该工具施压至与该基体接触者。4.如申请专利 范围第2项之方法,又包含步骤为,以该工具产生第 二凹部者。5.如申请专利范围第4项之方法,又包含 步骤为,相对于该基体侧向运动该工具,以产生该 第二凹部者。6.如申请专利范围第2项之方法,又包 含步骤为,在该工具上形成直立止动者。7.如申请 专利范围第2项之方法,其中该工具具有成型部,用 以产生该第一凹部者。8.如申请专利范围第7项之 方法,其中该成型部具有倾斜侧壁者。9.如申请专 利范围第7项之方法,其中该隔膜系在该痕迹之前 施加者。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该 成型部在尾部和头部之间具有倾斜表面者。11.如 申请专利范围第7项之方法,其中该成型部具有头 部和尾部,而该尾部较该头部为薄者。12.如申请专 利范围第1项之方法,其中该基体为延性材料者。13 .如申请专利范围第2项之方法,其中该工具系由比 该基体为硬之材料形成者。14.如申请专利范围第1 项之方法,又包括步骤为产生第二凹部者。15.如申 请专利范围第14项之方法,其中该第一凹部实质上 与该第二凹部类似者。16.如申请专利范围第1项之 方法,又包括步骤为把绝缘层在该基体上图型化者 。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该绝缘层 系在产生该第一凹部之前,在该基体上图型化者。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该绝缘层界 定一开口,而该第一凹部是在相当于该开口之位置 产生者。19.如申请专利范围第1项之方法,其中该 导电性材料含镍和铑至少其一者。20.如申请专利 范围第1项之方法,又包括步骤为,在该导电性材料 上形成外部铑层者。21.如申请专利范围第20项之 方法,其中该外部铑层形成V型者。22.如申请专利 范围第1项之方法,其中把导电性材料定位在该凹 部内之步骤,包括把该导电性材料电镀在该支持体 上者。23.如申请专利范围第7项之方法,其中该导 电性材料系均匀沉积者。24.如申请专利范围第1项 之方法,又包括步骤为,在该导电性材料定位于该 凹部后,将该导电性材料平整者。25.如申请专利范 围第1项之方法,又包括步骤为,形成该凹部,使该导 电性材料具有实质上平坦表面,相对于该构件支持 体的支持表面倾斜者。26.如申请专利范围第1项之 方法,又包括步骤为,形成该凹部,使该导电性材料 呈实质上金字塔形状者。27.如申请专利范围第1项 之方法,又包括步骤为,在产生该凹部之前,将该基 体抛光者。28.如申请专利范围第1项之方法,又包 括步骤为,在该导验性材料上形成粗糙表面者。29. 如申请专利范围第1项之方法,其中该基体具有晶 体粒,而该凹部具至少一实质上平坦表面,相对于 该晶体粒倾斜,该表面和该晶体粒在其间界定锐角 者。30.一种探测总成,可供探测电气元件,包括: (a)支持体; (b)隔膜,与该支持体呈重叠关系; (c)复数长形导体,利用该隔膜支持; (d)复数长形触点,以该隔膜支持,各该触点接电至 该导体至少其一,各该触点因应与该电气元件之加 压结合而倾斜,各该平坦表面具有至少一实质上平 坦表面,相对于该隔膜倾斜,相对界定成一锐角者 。31.如申请专利范围第30项之探测总成,其中该触 点具有尾部和接触部,而该倾斜表面系界定于该尾 部和该接触部之间者。32.如申请专利范围第30项 之探测总成,其中该倾斜表面系该触点之侧面者。 33.如申请专利范围第30项之探测总成,其中该触点 系整体者。34.如申请专利范围第30项之探测总成, 其中该触点系实质上金字塔形者。35.如申请专利 范围第30项之探测总成,其中该触点界定足迹,具有 宽端和窄端者。36.如申请专利范围第30项之探测 总成,其中各该触点具有个别接触部,而该接触部 系呈线形配置对准者。37.如申请专利范围第35项 之探测总成,其中各该触点具有个别接触部,而该 接触部系呈线形配置对准,而该触点之配置使该触 点之一的宽端邻接另一触点之窄端者。38.一种探 测总成,供探测电气元件,包括: (a)支持体; (b)隔膜,与该支持体呈重叠关系; (c)长形导体,利用该隔膜支持; (d)长形触点,利用该隔膜支持,并接电至该导体,该 触点因应与该电气元件之加压结合而倾斜,该触点 具有长形部,以及与该长形部呈立面关系,而该接 触部与该长形部系彼此成为一体者。39.如申请专 利范围第38项之探测总成,其中该梁具有尾部,而倾 斜表面沿该梁延伸,并离开该尾部者。40.如申请专 利范围第38项之探测总成,其中该梁部具有斜侧,相 对于隔膜,在其间界定锐角者。41.如申请专利范围 第38项之探测总成,其中该触点实质上呈金字塔形 者。42.如申请专利范围第38项之探测总成,其中该 触点具有足迹,形成宽端和窄端者。43.一种探测总 成,可供探测电气元件,包括: (a)支持体; (b)隔膜,与该支持体呈重叠关系; (c)长形导体,利用该隔膜支持; (d)触点,利用该隔膜支持,并接电至该导体,该触点 具有向下突出之长形脊部,有一对侧面,在其间界 定锐角,以供切过该电气元件上之氧化物层者。44. 如申请专利范围第43项之探测总成,其中该对侧面 结合形成该脊部者。45.如申请专利范围第43项之 探测总成,其中该脊部实质上延伸越过该触点者。 46.如申请专利范围第43项之探测总成,其中该触点 又包含支持该脊部之平坦表面者。47.如申请专利 范围第43项之探测总成,又包含复数向下突出之长 形脊部者。48.如申请专利范围第47项之探测总成, 其中该复数脊部形成华芙饼乾图型者。49.如申请 专利范围第43项之探测总成,其中该触点界定拱部, 而该脊部位于该拱部末端者。50.如申请专利范围 第49项之探测总成,其中该触点在该拱部另一端具 有另一长形脊部者。51.一种具有电气垫片和氧化 物表面的电气元件之探测方法,包括步骤为: (a)形成触点,具有长形脊部,有一对倾斜表面,在其 间界定锐角; (b)把该触点接电至测试元件; (c)把该脊部压在该电气垫片上; (d)把该氧化物表面从该脊部剪离; (e)令该脊部渗透入该电气垫片内; (f)使用该测试元件测试该电气元件者。52.如申请 专利范围第51项之方法,其中该对倾斜表面结合者 。53.如申请专利范围第51项之方法,又包括步骤为, 在该触点上提供止动表面者。54.如申请专利范围 第51项之方法,又包括步骤为,在该触点上提供另一 长形脊部者。55.如申请专利范围第54项之方法,其 中该脊部系平行者。56.如申请专利范围第54项之 方法,其中该脊部系垂直者。57.如申请专利范围第 51项之方法,又包括步骤为,以该触点形成拱部者。 58.如申请专利范围第57项之方法,其中该脊部系位 于该拱部末端者。59.如申请专利范围第51项之方 法,其中该电气垫片系焊接凸部者。60.一种具有触 点垫片的电气元件之探测方法,包括下列步骤: (a)在隔膜上形成一对触点; (b)把该对触点接电至测试元件; (c)把该二触点压在该触点垫片上; (d)使用该测试元件,在该触点垫片测试该电气元件 者。61.如申请专利范围第60项之方法,又包括步骤 为,提供一对导底,利用该隔膜支持,把各该导体接 至该测试元件,并且把该触点之一接至该导体之一 ,而另一触点接至另一导体者。62.如申请专利范围 第60项之方法,又包括步骤为,当各该对触点与该触 点垫片形成加压电气结合时,令各该对触点倾斜者 。63.如申请专利范围第60项之方法,又包括步骤为, 以该触点从该触点垫片除去氧化物表面者。图式 简单说明: 第1图为隔膜探测总成之透视图,螺合于探针头和 支持在夹头上的晶圆,于适当位置以便利用此总成 探测; 第2图为仰视立面图,显示第1图探测总成的各种组 件,包含支持元件和挠性隔膜总成,以及探针卡的 部份图,具有资料∕信号线,与隔膜总成上的相对 线连接; 第3图为第1图隔膜探测总成之侧视立面图,其中有 部份隔膜总成切除,露出支持元件的隐藏部份; 第4图为支持元件具体例之简略侧视立面图; 第5a-5b图为简略侧视立面图,表示支持元件和隔膜 总成如何能够倾斜,以配合测试中元件的定向; 第6图为第2图隔膜总成构造中央区之放大俯视立 面图; 第7a-7b图为沿第6图7a-7a线之断面图,先显示触底前 之触点,再表示触底及净洗运动跨越其个别垫片后 之同一触点; 第8图为简略侧视图,以虚线表示第7a-7b图触点在初 始触底的时机,而实线表示由垫片进一步直立行进 过度后的同样触点; 第9a和9b图表示弹料层的变形,使触点与其垫片接 触; 第10图为第8图元件之纵断面图; 第11图为第8图元件之横断面图; 第12图为第10和11图所示元件之更为准确透视图; 第13图为第11图所示元件之详图,表示处理结果之 不均匀层; 第14图为基体之透视图; 第15图为本发明工具之具体例透视图,尤指挖坑工 具; 第16图为表示第15图工具要与第14图基体接触之透 视图; 第17图为第14图之基体与第15图工具接触后之透视 图; 第18图为第14图基体上支持聚醯亚胺层之断面图; 第19图为第16图工具连同Z轴线止动之透视图; 第20图为第14图基体之断面图,上有痕迹,凹部内有 导电性材料,以及附加聚醯亚胺层; 第21图为第20图元件倒置透视图,基体除去; 第22图为第21图接触部破开断面图; 第23图为表示本发明元件一种配置之简图; 第24图为表示传统接触部与焊接凸部的氧化物层 接触之简图; 第25图为具有长形探测部的另一元件之平面图; 第26图为具有长形探测部的第25图元件之侧视图; 第27图为焊接凸部内有记号的透视图,是第25和26图 元件的结果; 第28图为另一变通探测元件之透视图; 第29图为适于焊接凸部的又一变通探测元件之透 视图; 第30图为使用本发明元件之真正Kelvin接法之侧视 图。 |
