| 主权项 |
1.一种移相罩幕坯料,其系在透明基板上至少设一 层移相膜所形成者,其特征为:上述移相膜为以金 属与矽作为主要成分,并且,此移相膜之膜应力为 100MPa以下。2.如申请专利范围第1项之移相罩幕坯 料,其中上述移相膜为由钼矽化氧化碳化物或钼矽 化氧化氮化碳化物所形成。3.如申请专利范围第1 项或第2项之移相罩幕坯料,上述移相膜,为将所透 过之曝光光线之相位变换1805度,且透过率为3-40% 。4.一种移相罩幕,其特征为将申请专利范围第1项 或第2项之移相罩幕坯料,使用光刻成像法形成图 案所获得。5.一种移相罩幕坯料之制造方法,其系 在透明基板上至少设一层移相膜者,其特征为:使 用主要成分为包含钼及矽之靶标,并且,使用含有 碳之溅射气藉进行反应性溅射就可形成膜应力为 100MPa以下之移相膜。6.如申请专利范围第5项移相 罩幕坯料之制造方法,其中上述移相膜为钼矽化氧 化碳化物或钼矽化氧化氮化碳化物。7.如申请专 利范围第5或第6项之移相罩幕坯料之制造方法,其 中作为含有上述碳之溅射气使用二氧化碳进行反 应性溅射。8.如申请专利范围第5或6项之移相罩幕 坯料之制造方法,其中上述移相膜为将所透过之曝 光光线之相位变换1805度,且透过率为3-40%。9.一种 移相罩幕之制造方法,其特征为:对于申请专利范 围第5或6项之方法所制造之之移相罩幕坯料使用 光刻成像法形成图案。图式简单说明: 第1图系关于本发明一实施例之移相罩幕坯料之剖 面图。 第2图系关于本发明一实施例之移相罩幕之剖面图 。 第3图系关于本发明一实施例之另一移相罩幕之剖 面图。 第4图系关于本发明一实施例之另一移相罩幕坯料 之剖面图。 第5图系表示移相罩幕之制造方法之说明图,(A)系 形成光阻剂膜之状态,(B)系将光阻膜形成图案之状 态,(C)系进行蚀刻之状态,(D)系去除光阻剂膜状态 之概略剖面图。 第6图(A)、(B)系说明半透过型移相罩幕原理之图,(B )系(A)之X部之部分放大图。 |
