| 主权项 |
1.一种用来增强影像响应之装置,包括: 一影像感测器;以及 一磷层,其系连接至该影像感测器,其中该磷层系 将入射光子从一第一波长转换至一第二波长者。2 .如申请专利范围第1项之装置,其中该影像感测器 具有一像素阵列,每一像素系用来将入射光子转换 成一电讯号。3.如申请专利范围第1项之装置,其中 该第一波长系介于400至700奈米(nm)的范围中,而该 第二波长系介于900至1000奈米(nm)的范围中。4.如申 请专利范围第1项之装置,其中该磷层系将该入射 光子从一第一时域偏移至一第二时域。5.如申请 专利范围第2项之装置,其更包括有一颜色滤波器 阵列,其中该磷层系配置于该颜色滤波器阵列与该 像素阵列之间。6.如申请专利范围第2项之装置,其 更包括有一等向放射反射器,其中该磷层系配置于 该等向放射反射器与该像素阵列之间。7.如申请 专利范围第2项之装置,其更包括有复数个微透镜, 其中该磷层系配置于该复数个微透镜与该像素阵 列之间。8.如申请专利范围第2项之装置,其中该像 素阵列系为一被动像素阵列。9.如申请专利范围 第2项之装置,其中该像素阵列系为一主动像素阵 列。10.一种用来增强影像响应之方法,包括: 提供一影像感测器;以及 配置一磷层,其系对应于该影像感测器,其中该磷 层系将入射光子从一第一波长转换至一第二波长 者。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该磷层 系为吸收介于400至100奈米(nm)的范围之第一波长中 的光子,并且 重新放射介于900至1000奈米(nm)的范围之第二波长 中的光子。12.如申请专利范围第10项之方法,其中 该磷层系为 吸收光子于一第一时域内;并且 重新放射光子于一第二时域内。13.如申请专利范 围第10项之方法,其更包括有以下之步骤: 配置一颜色滤波器阵列,使得该磷层系配置于该颜 色滤波器阵列与该像素阵列之间。14.如申请专利 范围第10项之方法,其更包括有以下之步骤: 配置一等向放射反射器,使得该磷层系配置于该等 向放射反射器与该像素阵列之间。15.如申请专利 范围第10项之方法,其更包括有以下之步骤: 配置复数个微透镜,使得该磷层系配置于该复数个 微透镜与该像素阵列之间。16.一种用来增强影像 响应之系统,包括: 一记忆装置; 一影像感测器; 一磷层,其系对应于该影像感测器,其中该磷层系 将入射光子从一第一波长转换至一第二波长者;以 及 一成像电路,其系连接至该记忆装置以及该影像感 测器,该成像电路系被配置以处理从该影像感测器 所接收之电讯号,并且被配置以储存该处理之电讯 号于该记忆装置内。17.如申请专利范围第16项之 系统,其中该影像感测器具有一像素阵列,每一像 素系用来将入射光子转换成一电讯号。18.如申请 专利范围第16项之系统,其中该第一波长系介于400 至700奈米(nm)的范围中,而该第二波长系介于900至 1000奈米(nm)的范围中。19.如申请专利范围第16项之 系统,其中该磷层系将该入射光子从一第一时域偏 移至一第二时域。20.如申请专利范围第16项之系 统,其更包括有一颜色滤波器阵列,其中该磷层系 配置于该颜色滤波器阵列与该影像感测器之间。 21.如申请专利范围第16项之系统,其更包括有一等 向放射反射器,其中该磷层系配置于该等向放射反 射器与该影像感测器之间。22.如申请专利范围第 17项之系统,其更包括有复数个微透镜,其中该磷层 系配置于该复数个微透镜与该像素阵列之间。23. 如申请专利范围第17项之系统,其中该像素阵列系 为一被动像素阵列。24.如申请专利范围第17项之 系统,其中该像素阵列系为一主动像素阵列。图式 简单说明: 图1系为一互补式金氧半影像感测器之说明例的像 素阵列中的像素示意图; 图2系为图1所示之像素的时序图; 图3系为一包括一微透镜与一颜色滤波器之像素的 横截面图; 图4系为由矽晶所构成之一互补式金氧半影像感测 器之说明例的响应频谱图; 图5系为根据本发明之一具体实施例所绘示之一互 补式金氧半影像感测器,其包括有一颜色滤波器阵 列、一磷层、以及一像素阵列; 图6系绘示使用于本发明之一具体实施例中的磷之 激励(excitation)频谱; 图7系绘示使用于本发明之上述具体实施例中的磷 之放射(emission)频谱; 图8系为根据本发明之一具体实施例所绘示之一互 补式金氧半影像感测器,其包括有一磷层以及一像 素阵列; 图9系为根据本发明之一具体实施例所绘示之一互 补式金氧半影像感测器,其包括有一等向放射反射 器、一磷层、以及一像素阵列;以及 图10系为根据本发明之一具体实施例所绘示之一 使用一磷层之成像装置。 |
