| 主权项 |
1.一种光罩资料修正装置,以抑制在制程预测之变 形之形态产生规定具有图形构造之图形之基本要 素之形状和该阶层构造之布局资料及依据制程条 件表达在制程使用之转印用光罩之图形形状之光 罩资料,包括: 傅立叶转换部,藉着将该基本要素傅立叶转换而得 到该基本要素之傅立叶像; 合成部,藉着依据该阶层构造在傅立叶空间将该基 本要素之傅立叶像合成,得到该图形之傅立叶像; 空间滤波部,对于该图形之傅立叶像进行和该变形 对应之空间滤波处理; 反傅立叶转换部,藉着对于该空间滤波处理后之傅 立叶像进行反傅立叶转换,得到反映了该变形之反 傅立叶像; 图形转换部,将该反傅立叶像转换为图形;以及 图形修正部,藉着比较该图形转换部输出之该图形 和该布局资料规定之该图形,向抑制该变形之方向 修正该布局资料规定之图形后,作为该光罩资料输 出。2.如申请专利范围第1项之光罩资料修正装置, 其中,该变形包含依据该光罩资料使用电子束描绘 形成该转印用光罩时发生之描绘变形。3.如申请 专利范围第1项之光罩资料修正装置,其中,该变形 包含使用依据该光罩资料所形成之该转印用光罩 时转印时发生之转印变形。4.如申请专利范围第1 项之光罩资料修正装置,其中,该变形包含使用藉 着转印依据该光罩资料所形成之该转印用光罩所 形成之光阻剂图形执行选择性蚀刻时发生之蚀刻 变形。5.如申请专利范围第1项之光罩资料修正装 置,其中,该变形包含在使用藉着转印依据该光罩 资料所形成之该转印用光罩所形成之光阻剂图形 执行选择性蚀刻后对于所堆积之膜执行研磨处理 时在研磨后之图形发生之研磨变形。6.如申请专 利范围第1项之光罩资料修正装置,其中,该变形包 含在使用藉着转印依据该光罩资料所形成之该转 印用光罩所形成之光阻剂图形执行选择性蚀刻后 对于所堆积之膜执行深蚀刻处理时在深蚀刻后之 图形发生之深蚀刻变形。7.如申请专利范围第1.2.3 .4.5或6项之光罩资料修正装置,其中,该傅立叶转换 部包括: 图形分割部,将该基本要素分割为系三角形、四角 形以及圆形之其中之一之要素图形之群;及 要素图形傅立叶转换部,藉着对于该要素图形之群 之各要素图形个别的进行傅立叶转换,得到该要素 图形之群之各要素图形之傅立叶像。8.如申请专 利范围第7项之光罩资料修正装置,其中,该要素图 形傅立叶转换部在为了得到该傅立叶像而计算空 间频率成分时,使用原始函数分析性的进行定积分 计算。9.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之光罩资 料修正装置,其中,还包括网格产生部,在实空间和 傅立叶空间设定影像产生区域后在该影像产生区 域设定网格; 该网格产生部包括: 最小相关距离计算部,依据制程条件计算在制程之 最小相关距离;及 网格数最佳化部,如网格宽在不超过该最小相关距 离之范围变成最大而且网格数变成正整数般决定 沿着该影像产生区域之正交之二方向之各方向之 网格数。10.如申请专利范围第9项之光罩资料修正 装置,其中,该网格数最佳化部将该正整数限定为 由n=2i3j5k(i、j、k系0或正整数)规定之正整数n; 该傅立叶转换部使用高速傅立叶转换进行该傅立 叶转换。11.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之光罩 资料修正装置,其中,还包括: 网格产生部,在实空间和傅立叶空间设定影像产生 区域后在该影像产生区域设定网格; 网格附加部,对该空间滤波处理后之影像资料附加 新的网格;以及 新网格资料设定部,对所附加之网格上之影像资料 设定零之値后,和附加网格之前之影像资料一起输 出; 该反傅立叶转换部对于该新网格资料设定部输出 之影像资料进行该反傅立叶转换。12.如申请专利 范围第1.2.3.4.5或6项之光罩资料修正装置,其中,还 包括: 网格产生部,在实空间和傅立叶空间设定影像产生 区域后在该影像产生区域设定网格;及 网格除去部,自该空间滤波处理后之影像资料除去 一部分之网格; 该反傅立叶转换部对于该网格除去部输出之影像 资料进行该反傅立叶转换。13.一种上取样装置,对 于离散资料进行上取样,包括: 傅立叶转换部,藉着对于在一次元或多次元之空间 内规定之离散资料进行傅立叶转换,将该离散资料 变换为频率成分之集合; 网格附加部,将该频率成分之集合作为在和该一次 元或多次元同一次元之傅立叶空间内所设定之网 格上之资料后,将新的网格附加于傅立叶空间内; 新网格资料设定部,对所附加之网格之资料设为零 之値后,和附加之前之网格上之资料一起输出;以 及反傅立叶转换部,对于该新网格资料设定部输出 之资料进行反傅立叶转换。14.一种下取样装置,对 于离散资料进行下取样,包括: 傅立叶转换部,藉着对于在一次元或多次元之空间 内规定之离散资料进行傅立叶转换,将该离散资料 变换为频率成分之集合; 网格除去部,将该频率成分之集合作为在和该一次 元或多次元同一次元之傅立叶空间内所设定之网 格上之资料后,在该傅立叶空间内除去一部分之网 格后输出;以及 反傅立叶转换部,对于该网格除去部输出之资料进 行反傅立叶转换。15.一种具有图形构造之装置之 制造方法,包括: (a)使用如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之光罩资料 修正装置产生该光罩资料之制程; (b)使用在该制程(a)产生之光罩资料形成转印用光 罩之制程; (c)在作为制造对象之装置之材料之表面形成光阻 剂之制程; (d)向该光阻剂转印在该制程(b)所形成之转印用光 罩之制程; (e)将光阻剂形成为在该制程(d)所转印之图形形状 之制程;以及 (f)藉着将形成图形之该光阻剂用作遮蔽体对该材 料进行选择性处理之制程。图式简单说明: 图1系表示实施例之各种制造装置之方块图。 图2系表示图1之影像计算部42之内部构造之方块图 。 图3系表示图1之各种制造装置之制程之流程图。 图4(a)~(c)系表示实施例1之处理之说明图。 图5(a)~(b)系影像计算部42之动作之说明图。 图6系影像计算部42之动作之说明图。 图7系图形修正装置50之动作之说明图。 图8系表示光罩产生装置61之构造例之部分切掉之 立体图。 图9系表示光转印装置62之构造例之说明图。 图10(a)~(f)系举例表示半导体制造装置之制程之制 程图。 图11系表示CMP装置64之构造例之平面图。 图12系举例表示半导体制造装置之制程之制程图 。 图13系表示傅立叶转换部421之内部构造之方块图 。 图14系表示傅立叶转换部421之处理之流程图。 图15系表示傅立叶转换部421之处理之动作说明图 。 图16系表示傅立叶转换部421之处理之动作说明图 。 图17系表示傅立叶转换部421之处理之动作说明图 。 图18系表示要素图形傅立叶转换部4212及合成部422 之内部构造之方块图。 图19系表示要素图形傅立叶转换部4212及合成部422 之内部构造之流程图。 图20系表示网格产生部41之内部构造之方块图。 图21系表示网格产生部41之处理之流程图。 图22系表示上取样部44之内部构造之方块图。 图23系表示上取样部44之处理之流程图。 图24(a)-(c)系表示上取样部44之处理之动作说明图 。 图25系表示下取样部45之内部构造之方块图。 图26系表示下取样部45之处理之流程图。 图27(a)-(c)系表示下取样部45之处理之动作说明图 图28系表示上取样装置80之构造之方块图。 图29系表示上取样装置80之处理之流程图。 图30系表示下取样装置90之构造之方块图。 图31系表示下取样装置90之处理之流程图。 图32系表示以往之光罩资料修正方法之步骤之流 程图。 图33系表示在以往之光罩资料修正方法采用之阶 层构造例之说明图。 |
