| 主权项 |
1.一种光电装置,系在由支承基板、形成在前述支 承基板上的第1绝缘体层、和形成于该第1绝缘体 层上的半导体层所构成的基板上具有:复数条扫描 线、和与前述复数条扫描线交叉的复数条资料线 、和连接于前述各扫描线和前述各资料线的像素 电晶体、和连接于前述像素电晶体的像素电极、 和包含用以令前述像素电晶体作动的驱动用电晶 体的周边电路之光电装置,其特征为: 在于:包含通道领域与源极领域的接合部分的领域 ;或包含前述通道领域与汲极领域的接合部分的领 域之中,至少其中一方的领域系包含:其缺陷密度 高于前述通道领域的缺陷密度之像素或驱动用电 晶体。2.一种光电装置,系在由支承基板、形成在 前述支承基板上的第1绝缘体层、和形成于该第1 绝缘体层上的半导体层所构成的基板上具有:复数 条扫描线、和与前述复数条扫描线交叉的复数条 资料线、和连接于前述各扫描线和前述各资料线 的像素电晶体、和连接于前述像素电晶体的像素 电极之光电装置,其特征为: 在于:包含前述像素电晶体的通道领域与源极领域 的接合部分的领域;或包含前述通道领域与汲极领 域的接合部分的领域之中,至少其中一方的领域的 缺陷密度系高于前述通道领域的缺陷密度。3.一 种光电装置,系在由支承基板、形成在前述支承基 板上的第1绝缘体层、和形成于该第1绝缘体层上 的半导体层所构成的基板上具有:复数条扫描线, 和与前述复数条扫描线交叉的复数条资料线、和 连接于前述各扫描线和前述各资料线的像素电晶 体、和连接于前述像素电晶体的像素电极、和包 含用以令前述像素电晶体作动的驱动用电晶体的 周边电路之光电装置,其特征为: 在于:包含前述像素或驱动用电晶体的通道领域与 源极领域的接合部分的领域;或包含前述通道领域 与汲极领域的接合部分的领域之中,至少其中一方 的领域的缺陷密度系高于前述通道领域的缺陷密 度。4.一种光电装置,系在由支承基板、形成在前 述支承基板上的第1绝缘体层、和形成于该第1绝 缘体层上的半导体层所构成的基板上具有:复数条 扫描线、和与前述复数条扫描线交叉的复数条资 料线、和连接于前述各扫描线和前述各资料线的 像素电晶体、和连接于前述像素电晶体的像素电 极、和包含用以令前述像素电晶体作动的驱动用 电晶体的周边电路之光电装置,其特征为: 在于:较之通道领域与源极领域的接合部分更偏靠 通道侧的领域;或较之前述通道领域与汲极领域的 接合部分更偏靠通道侧的领域之中,至少其中一方 的领域系包含:其缺陷密度高于前述通道领域的缺 陷密度之像素或驱动用电晶体。5.一种光电装置, 系在由支承基板、形成在前述支承基板上的第1绝 缘体层、和形成于该第1绝缘体层上的半导体层所 构成的基板上具有:复数条扫描线、和与前述复数 条扫描线交叉的复数条资料线、和连接于前述各 扫描线和前述各资料线的像素电晶体、和连接于 前述像素电晶体的像素电极之光电装置,其特征为 : 在于:较之前述像素电晶体的通道领域与源极领域 的接合部分更偏靠通道侧的领域;或较之前述通道 领域与汲极领域的接合部分更偏靠通道侧的领域 之中,至少其中一方的领域的缺陷密度系高于前述 通道领域的缺陷密度。6.一种光电装置,系在由支 承基板、形成在前述支承基板上的第1绝缘体层、 和形成于该第1绝缘体层上的半导体层所构成的基 板上具有:复数条扫描线、和与前述复数条扫描线 交叉的复数条资料线、和连接于前述各扫描线和 前述各资料线的像素电晶体、和连接于前述像素 电晶体的像素电极、和包含用以令前述像素电晶 体作动的驱动用电晶体的周边电路之光电装置,其 特征为: 在于:较之前述像素或驱动用电晶体的通道领域与 源极领域的接合部分更偏靠通道侧的领域;或较之 前述通道领域与汲极领域的接合部分更偏靠通道 侧的领域之中,至少其中一方的领域的缺陷密度系 高于前述通道领域的缺陷密度。7.如申请专利范 围第1至6项之其中任何一项所述的光电装置,其中 连接于前述各扫描线和前述各资料线的前述像素 电晶体系p通道型电晶体。8.如申请专利范围第7项 之光电装置,其中形成在前述第1绝缘层上的半导 体层之中,至少在于被形成与前述各扫描线和前述 各资料线相连的前述像素电晶体的部分之膜厚是 小于100nm。9.如申请专利范围第1至6项之其中任何 一项所述的光电装置,其中前述领域中的缺陷系藉 由注入Ar离子而导入的。10.如申请专利范围第1至6 项之其中任何一项所述的光电装置,其中前述支承 基板是单晶矽。11.如申请专利范围第1至6项之其 中任何一项所述的光电装置,其中前述支承基板是 石英,且形成在第1绝缘层上的半导体层是单晶矽 。12.如申请专利范围第1至6项之其中任何一项所 述的光电装置,其中前述支承基板是石英,且形成 在第1绝缘层上的半导体层是多晶矽。13.如申请专 利范围第1至6项之其中任何一项所述的光电装置, 其中前述支承基板是玻璃。14.一种电子机器,其特 征为: 具备: 光源;和 受到由前述光源所射出的光所射入之后,进行对应 于画像资讯的调变之如申请专利范围第1至13项之 中的任何一项所述的光电装置;和 将受到前述光电装置所调变后的光予以投射出去 的投射手段。图式简单说明: 第1图表示有关本发明之实施形态之液晶装置中, 表示影像形成领域之构成之等效电路。 第2图表示同液晶装置之电晶体之构成之断面图。 第3图表示同液晶装置之电晶体之构成之平面图。 第4图表示同实施形态之变形例1之电晶体之构成 之断面图。 第5图表示同实施形态之变形例2之电晶体之构成 之断面图。 第6图表示同实施形态之变形例3之电晶体之构成 之断面图。 第7图表示同液晶装置之构成之平面图。 第8图表示第7图之H-H'断面图。 第9图表示使用同液晶装置之电子机器之一例之投 射型显示装置之构成之平面图。 |
