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1.一种稳定绝缘体上半导体装置之方法,包括以下 步骤: 提供由绝缘体上半导体(SOI)基底,源极区/汲极区以 及闸极所构成的SOI半导体装置,其中该SOI基底包含 支撑基底,在支撑基底上的埋植绝缘层,以及在埋 植绝缘层上的表面半导体层,而源极区/汲极区是 在表面半导体层内形成,闸极是在具有闸极绝缘层 隔开之源极区/汲极区之间的表面半导体层上形成 ; 以及施加电场到支撑基底与源极区或汲极区之间, 使得反向通道能在表面半导体层到埋植绝缘层的 一侧内形成,进而在至少接近埋植绝缘层内源极区 或汲极区与表面半导体层的表面上,加入捕捉电压 。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电场的施 加时间被调节到使得捕捉电压被加到表面半导体 层的整个埋植绝缘层侧。3.如申请专利范围第1项 或第2项之方法,其中藉设定源极区/汲极区到接地 而其它部分是接到正电压来施加该电场。4.如申 请专利范围第3项之方法,其中该正电压是1V到5V。5 .如申请专利范围第3项之方法,其中进一步在N通道 半导体装置时,设定支撑基底为正电压,或是在P通 道半导体装置时,设定支撑基底为负电压,来施加 该电场。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该正 电压是5V到20V,而负电压是 -5V到-20V。7.如申请专利范围第3项之方法,其中进 一步在N通道半导体装置时,设定闸极为负电压,或 是在P通道半导体装置时,设定闸极为正电压,来施 加该电场。8.如申请专利范围第5项之方法,其中进 一步在N通道半导体装置时,设定闸极为负电压,或 是在P通道半导体装置时,设定闸极为正电压,来施 加该电场。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该 负电压是-0.1V到-0.8V,而正电压是0.1V到0.8V。10.如申 请专利范围第1项之方法,其中该电场的施加时间 约为数秒到数百秒。11.如申请专利范围中第10项 之方法,其中该电场的施加时间约为10秒到500秒。 12.一种SOI半导体装置,其系包括: 绝缘体上半导体(SOI)基底、源极区/汲极区以及闸 极;其中该SOI基底包含支撑基底,在支撑基底上的 埋植绝缘层,以及在埋植绝缘层上的表面半导体层 ,而源极区/汲极区是在表面半导体层内形成,闸极 是在具有闸极绝缘层隔开之源极区/汲极区之间的 表面半导体层上形成; 其中该SOI半导体装置系藉由施加电场到支撑基底 与源极区或汲极区之间,使得反向通道能在表面半 导体层到埋植绝缘层的一侧内形成,进而在至少接 近埋植绝缘层内源极区或汲极区与表面半导体层 的表面上,加入捕捉电压,以获得稳定。13.如申请 专利范围中第5项之方法,其中该电场被加上,形成 单向的反向通道,并降低双向的漏电流。图式简单 说明: 图1是SOI半导体装置主要部分的剖示图,显示本发 明稳定SOI半导体装置的方法; 图2是SOI半导体装置主要部分的剖示图,显示与当 偏压以顺向方式加到图1中稳定SOI半导体装置时的 操作; 图3是SOI半导体装置主要部分的剖示图,显示出当 偏压以反向方式加到图1中稳定SOI半导体装置时的 操作; 图4显示出当偏压以顺向方式加到图1中SOI半导体 装置时,漏电流随着外加电场的周期而变动的情形 ; 图5显示出当偏压以反向方式加到图1中SOI半导体 装置时,漏电流随着外加电场的周期而变动的情形 ; 图6显示出当偏压以顺向方式加到图1中SOI半导体 装置时,漏电流随着外加电场的周期而变动的情形 ; 图7显示出当偏压以反向方式加到图1中SOI半导体 装置时,漏电流随着外加电场的周期而变动的情形 ; 图8显示出当图1的电场加到图1的SOI半导体装置后, 图2驱动电流变动的情形; 图9显示出当图1的电场加到图1的SOI半导体装置后, 图3驱动电流变动的情形; 图10显示传统短通道SOI半导体装置,在待命状态下 的操作原理; 图11是显示图10待命状态下半导体装置电流的等效 电路图; 图12是半导体装置中漏电流行为的图式;以及 图13 SOI半导体装置主要部分的剖示图,显示稳定SOI 半导体装置的传统方法。 |
