| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR D'UNE MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur au moyen d'un traitement thermique exécuté en deux étapes.Une électrode inférieure (20) est formée sur un substrat en semiconducteur (10). Une couche diélectrique (40) est formée sur l'électrode inférieure. Une électrode supérieure (50) constituée d'un métal noble est formée sur la couche diélectrique. La structure résultante est soumise à un premier traitement thermique sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène et à une première température inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure. Puis l'ensemble est soumis à un second traitement thermique sous une atmosphère sans oxygène, à une seconde température comprise dans une plage supérieure à la première température.Domaine d'application : fabrication de mémoires à semiconducteur.</P>
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| 申请公布号 |
FR2818440(A1) |
申请公布日期 |
2002.06.21 |
| 申请号 |
FR20010008478 |
申请日期 |
2001.06.27 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
WON SEOK JUN;LEE YUN JUNG;PARK SOON YEON;YOO CHA YOUNG;KWANG DOO SUP;CHUNG EUN AE;KIM WAN DON |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/324;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/320;H01L21/28;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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