发明名称 Mask for forming contact in semiconductor device and method for manufacturing the same
摘要 <p>본 발명은 하나의형성할 수 있는 반도체 소자의 콘택 형성용 마스크 및 그 제조방법.제 1 콘택홀을 한정하기 위하여 석영 기판의 소정 부분을 오픈시키는 개구부를 갖는 제 1 물질층제 1 물질층 상부 및 석영 기판의 소정 부분상에 형성되제 2 콘택홀을 한정하도록 제 1 물질층에 의하여 노출된 석영 기판의 소정 부분을 오픈시키는 개구부를 갖는 제 2 물질층을 포함하며, 제 2 물질층은 제 1 물질층보다 광 투과율이 큰 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR100340865(B1) 申请公布日期 2002.06.20
申请号 KR19990048905 申请日期 1999.11.05
申请人 null, null 发明人 배상만
分类号 H01L21/32 主分类号 H01L21/32
代理机构 代理人
主权项
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