DIFFUSED TIP EXTENSION TRANSISTOR

摘要

방법은 기판 상의 그로부터 연장된 핀의 접합 영역에 개구를 형성하는 단계; 개구 내에 도핑된 반도체 재료를 도입하는 단계; 및 도핑된 반도체 재료를 열 처리하는 단계를 포함한다. 방법은 기판으로부터 연장되는 핀 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 게이트 전극의 대향 측들에 인접한 핀에 개구들을 형성하는 단계; 개구들에 도핑된 반도체 재료를 도입하는 단계; 및 도핑된 반도체 재료의 도펀트의 확산을 유도하기에 충분한, 도핑된 반도체 재료의 열 처리를 행하는 단계를 포함한다. 장치는 기판으로부터 연장되는 핀을 가로지르는 게이트 전극; 및 게이트 전극의 대향 측들에 인접한 핀의 접합 영역들 내의 반도체 재료로 충전된 개구들을 포함하고, 반도체 재료는 도펀트를 포함한다.