| 摘要 |
<p>본 발명은 스토리지전극의 표면적을 최대화함으로써 캐패시터의 용량을 향상시킬 수 있는 캐패시터 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 캐패시터 형성방법은 반도체기판 상의 제 1절연막 상에 스토리지콘택을 형성하는 공정과, 상기 스토리지콘택을 채우도록 제 1도전층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판 상에 HLD방법으로 형성된 제2절연막과, SOG방법으로 형성된 제3절연막을 교대로 연속적으로 적층하는 공정과, 상기 제 2절연막과 제 3절연막 상에 소정간격을 갖도록 패터닝된 마스크를 형성한 다음 상기 절연막들을 습식식각하는 공정과, 상기 반도체기판 상에 식각된 상기 절연막들과 상기 제 1도전층을 덮도록 캐패시터의 스토리지전극인 제 2도전층을 형성하는 공정과, 상기 제 2도전층을 덮도록 유전막과 캐패시터의 플레이트전극인 제 3도전층을 순차적으로 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 상기 특징을 갖는 본 발명에서는 캐패시터의 스토리지전극 형성에 있어서, 스토리지전극에 의해 덮이는 하부의 절연막을 다층으로 적층하되, 이 절연막을 식각율이 다른 SOG, HLD방식으로 각각 형성함으로써, 절연막 측면에 굴곡을 주어 결과적으로 스토리지전극의 표면적을 증가시킨다. 따라서, 스토리지전극의 표면적이 증가함에 따라, 캐패시터의 용량을 향상시키는 잇점이 있다.</p> |
