Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zur Herstellung,申请号DE19986001612T-传众专利搜索

发明名称	Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zur Herstellung
摘要
申请公布号	DE69801612(T2)	申请公布日期	2002.06.20
申请号	DE19986001612T	申请日期	1998.05.14
申请人	SONY CORP., TOKIO/TOKYO	发明人	MACHIDA, AKIO;NAGASAWA, NAOMI;AMI, TAKAAKI;SUZUKI, MASAYUKI
分类号	C30B29/22;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/02	主分类号	C30B29/22
代理机构		代理人
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