| 发明名称 |
PROCESS FOR MODIFIED OXIDATION OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING CHLORINE PLASMA |
| 摘要 |
<p>반도체 기판의 열적 산화 공정은 기판을 염소 플라즈마에 노출시키는 단계와 산화 분위기에서 기판을 가열하는 단계를 포함한다. 기판은 실리콘, 게르마늄 혹은 그 조성물을 포함할 수 있다. 가열 단계는 약 750℃와 약 850℃ 사이의 온도에서 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100341198(B1) |
申请公布日期 |
2002.06.20 |
| 申请号 |
KR19990039495 |
申请日期 |
1999.09.15 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
론세임폴에이 |
| 分类号 |
H01L21/324;H01L21/306;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/324 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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