| 摘要 |
<p>본 발명은 에프에프에스 모드 액정표시장치에 관한 것으로, ITO막 상에 형성되는 게이트 절연막의 특성 저하를 방지하기 위한 게이트 절연막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 에프에프에스 모드 액정표시장치의 게이트 절연막 형성방법은, 상부면에 ITO 재질의 카운터 전극이 형성되어 있는 유리 기판 상에 실리콘 산화물 계열의 게이트 절연막을 PECVD방식으로 형성하기 위한 에프에프에스 모드 액정표시장치의 게이트 절연막 형성방법에 있어서, 상기 게이트 절연막은 제1게이트 절연막과 제2게이트 절연막의 적층 구조로 형성하며, 하부에 배치되는 제1게이트 절연막의 증착 공정시에는 소오스 가스인 SiH가스의 부분 압력을 10∼30mTorr로 유지하여 증착공정을 수행한 것이다.</p> |
