| 摘要 |
<p>단원자층 정도의 연속적인 금속 초박막을 사용하여, 제작상 까다로운 조건의 종래 기술의 관통 접합 대신에 병목(bottle-neck) 형상을 갖는 취약 링크(weak link)를 단순 공정에 의하여 동일 기판 위에 집적화 시킴으로써, 단전자 집적회로의 구현에 용이한 단전자 트랜지스터가 개시된다. 본 발명은 1) 금속 초박막을 포함하는 반도체 기판, 2) 상기 반도체 기판의 금속 초박막 상에 형성된 소오스와 드레인과의 사이에 형성된 전자 섬(island), 3) 상기 소오스와 전자 섬 및 상기 전자 섬과 드레인과의 사이를 연결하는 관통 접합(tunnel junctions)의 역할을 수행할 수 있도록 잘록한 병목(bottle-neck) 형상을 가지며 상기 전자 섬의 전자들의 쿨롱 봉쇄를 유도할 수 있도록 식각 공정 시 그 경계면으로부터 일정 깊이의 손상 부분을 갖는 취약 링크(weak links), 및 4) 상기 전자 섬의 인근에 결합된 게이트 전극을 포함하는 단전자 트랜지스터를 포함한다.</p> |
