| 发明名称 |
Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Programmierungen in einer MRAM-Anordnung |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verhinderung unerwünschter Programmierungen in einer MRAM-Anordnung, bei dem durch Kompensationsströme Kompensationsmagnetfelder erzeugt werden, welche Streumagnetfeldern entgegenwirken.
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| 申请公布号 |
DE10053965(A1) |
申请公布日期 |
2002.06.20 |
| 申请号 |
DE20001053965 |
申请日期 |
2000.10.31 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
GOGL, DIETMAR;LAMMERS, STEFAN;FREITAG, MARTIN;ROEHR, THOMAS |
| 分类号 |
G11C11/14;G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/15 |
主分类号 |
G11C11/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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