| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt einen Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (1) mit einer ersten und einer zweiten, vorzugsweise jeweils mit einer Kontaktfläche (2,3) versehenen Hauptfläche sowie einer ersten und einer zweiten Spiegelfläche (6,7). Zwischen den Hauptflächen ist eine aktiven Schicht (4) und eine Stromführungsschicht (5) ausgebildet. Die Stromführungsschicht (5) weist mindestens einen streifenförmigen, quer zur Resonatorachse (18) verlaufenden Widerstandsbereich (8) auf, dessen spezifischer Flächenwiderstand gegenüber den an den Widerstandsbereich (8) angrenzenden Bereichen der Stromführungsschicht (5) zumindest in Teilbereichen erhöht ist.</p> |
