| 摘要 |
<p>반도체 메모리는 전원과 그라운드 간에 전류가 흐르지 않고 버스 라인의 중간전위가 실현되게 한다. 판독버스 라인 (RB) 이 로우 상태일 때, 하이 펄스가 내부 펄스 신호 (RBEQ) 로서 출력되고, 이후 N 형 트랜지스터 (N2) 및 P 형 트랜지스터 (P2) 는 온 상태로 된다. 게다가, N 형 트랜지스터 (N5) 도 온 상태로 된다. 이후, N 형 트랜지스터 (N3) 는 오프 상태로 되고, N 형 트랜지스터 (N4) 는 온 상태로 되며, 또한 P 형 트랜지스터 (P3 및 P4) 가 온 상태로 된다. 이러한 상황에 따라, 인버터 (I2) 의 출력은 로우로 되고, P 형 트랜지스터 (P1) 는 온 상태로 되며, N 형 트랜지스터 (N1) 는 오프 상태로 되고, 이에따라 판독버스 라인 (RB) 의 전위는 하이로부터 로우로 변경된다. 그 결과, RBEQ 신호는 로우로 되고, 이후 P 형 트랜지스터 (P2) 및 N 형 트랜지스터 (N2) 는 오프 상태로 되어 판독 신호 라인 (RB) 은 중간전위를 유지한다.</p> |
