| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Feldoxidschicht in einer Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE19512148(C2) |
申请公布日期 |
2002.06.20 |
| 申请号 |
DE19951012148 |
申请日期 |
1995.03.31 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
KWON, SUNG KU |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
