半导体存储装置及其制造方法

摘要

一位存储器单元MC由具有与其它部分电隔离的浮动体区的MOS晶体管构成,MOS晶体管的栅电极13连接字线WL、漏扩散层14连接位线BL、源扩散层15连接固定电位线SL,将MOS晶体管的体区12内注入由碰撞电离而产生的多数载流子并保持的第1阈值状态和随漏侧pn结的正向偏压而放出MOS晶体管的体区12的多数载流子的第2阈值状态作为二进制数据进行存储。因此,将简单的晶体管构造作为存储单元,可以提供信号线少,能够动态存储二进制数据的半导体存储装置。

主权项

1、一种半导体存储装置包括：具有构成存储单元的晶体管，该晶体管配备半导体层，该半导体层是第1导电类型，与其它存储单元电隔离，并成为浮动状态；漏扩散层，该漏扩散层是第2导电类型，形成于上述第1导电类型的半导体层上，并与位线连接；源扩散层，该源扩散层是第2导电类型，与上述漏扩散层隔离形成于上述第1导电类型的半导体层上，并与源线连接；以及栅电极，该栅电极位于上述漏扩散层与上述源扩散层之间的上述半导体层上，介以栅绝缘膜形成，并与字线连接；其特征是上述晶体管具有保持上述半导体层中过剩多数载流子的第1阈值电压的第1数据状态，和放出上述半导体层的过剩多数载流子的第2阈值电压的第2数据状态。