发明名称 | 带电束曝光掩模及带电束曝光方法 | ||
摘要 | 一种电子束曝光掩模,此掩模包括一基片,该基片具有一第一区域和第二区域,在第一区域内形成第一组多个单元孔径,在第二区域内形成第二组多个单元孔径。被辐射到第一区域的带电束的偏转角小于基准角。被辐射到第二区域的带电束的偏转角大于或等于基准角。每个第一组多个单元孔径都对应于需要高图形转换精度的精细图形。每个第二组多个单元孔径对应于不需高图形转换精度的精略图形。 | ||
申请公布号 | CN1086512C | 申请公布日期 | 2002.06.19 |
申请号 | CN97116763.X | 申请日期 | 1997.08.15 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 山田泰久;野末宽 |
分类号 | H01L21/30;G03F7/20 | 主分类号 | H01L21/30 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰;朱进桂 |
主权项 | 1.一种带电束曝光掩模,其特征在于它包含:一具有第一区域及第二区域的基片;在所述基片的所述第一区域内形成的第一组多个单元孔径;在所述基片的所述第二区域内形成的第二组多个单元孔径;所述基片的所述第一区域被设计成这样一种形式,即被辐射到所述第一区域的带电束具有小于基准角的偏转角;所述基片的所述第二区域被设计成这样一种形式,即被辐射到所述第二区域的所述带电束的偏转角大于或等于所述基准角;与精细图形对应的每个所述第一组的多个单元孔径在工件上需要高的图形转换精度;及与粗略图形对应的每个所述第二组多个单元孔径不需所述高的图形转换精度;其中所述的高图形转换精度由小于或等于所述工件上特定值的所需最小器件尺寸和由小于或等于所述工件上特定值的所需图形设置精度中的至少一个来决定。 | ||
地址 | 日本国东京都 |