| 发明名称 | 绝缘栅场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管(FET)以及在硅片上形成FET的方法。首先，在硅片表面形成沟槽。在该表面上形成ONO层，并内衬于沟槽。使钾沿ONO层扩散。去除部分ONO层以便暴露出硅表面，使ONO层保留在沟槽内。在暴露的硅片表面形成栅氧化层。最后，在栅氧化层上形成FET栅。所制成的FET沿其侧边的栅氧化层比其沟道中心的要厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1086513C | 申请公布日期 | 2002.06.19 |
| 申请号 | CN97113529.0 | 申请日期 | 1997.06.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;西门子公司 | 发明人 | 曼弗雷德·豪夫;马克思·Ｇ·莱维;维克托·Ｒ·纳斯塔西 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 范本国 |
| 主权项 | 1.一种在晶片的半导体层上形成场效应晶体管(FET)的方法，包括如下步骤：a)在所述半导体层表面内形成沟槽；b)在所述表面上形成电介质层，所述电介质层衬在所述沟槽内；c)沿所述电介质层扩散氧化催化剂；d)将所述半导体材料表面暴露出来，所述电介质层保留在所述沟 槽中；e)在所述暴露出的半导体表面形成栅氧化层；f)在所述栅氧化层上形成FET栅。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||