| 发明名称 | 形成阻挡层的方法及形成的结构 | ||
| 摘要 | 在铜工序中形成阻挡层的方法,包括提供一基底,此基底上已形成有一导电结构层。在基底上,形成一金属间介电层。定义金属间介电层,形成一开口,暴露出基底。形成一氧吸收层于金属间介电层上,且填入开口。形成一阻挡层在氧吸收层上。淀积一铜材料层在阻挡层上。氧吸收层在后续的高温步骤中,与金属间介电层中的氧原子反应,以转变形成为另一阻挡层。所述金属间介电层为一主要含有氧的材料,而氧吸收层为任何可与氧反应的金属,例如钛或钽等。 | ||
| 申请公布号 | CN1354497A | 申请公布日期 | 2002.06.19 |
| 申请号 | CN00128530.0 | 申请日期 | 2000.11.22 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 方昭训;谢文益;游萃蓉 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种形成阻挡层的方法，该方法包括：提供一基底；形成一介电层于该基底上；定义该介电层，形成一开口，暴露出基底；形成一氧吸收层覆盖过该基底上，覆盖该介电层，且覆盖该开口的周围表面；形成一阻挡层在该氧吸收层上；以及该氧吸收层在后续高温工序步骤中，与该介电层中的氧原子反应，以转变形成为一氧化层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||