| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:第一晶体管,具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁;第二晶体管,具有在半导体衬底上形成的第二栅极、在该第二栅极周围形成的第二低浓度扩散层、在该第二低浓度扩散层的周围形成的第二高浓度扩散层、在该第二栅极周围形成的厚度与第一晶体管的第一栅极侧壁相同的第二栅极侧壁,第二低浓度扩散层从第二栅极至第二高浓度扩散层的尺寸大于第一低浓度扩散层从第一栅极至第一高浓度扩散层的尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1354522A | 申请公布日期 | 2002.06.19 |
| 申请号 | CN01145624.8 | 申请日期 | 2001.10.11 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 渡部浩;成毛清美;增田和纪 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L27/112;H01L29/78;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一晶体管，具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围的上述半导体衬底表面上形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围的上述半导体衬底表面上形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁；第二晶体管，具有在上述半导体衬底上形成的第二栅极、在该第二栅极周围的上述半导体衬底表面上形成的第二低浓度扩散层、在该第二低浓度扩散层的周围的上述半导体衬底表面上形成的第二高浓度扩散层、在该第二栅极周围形成的具有与上述第一晶体管的第一栅极侧壁相同厚度的第二栅极侧壁；其中，从上述半导体衬底表面上的上述第二栅极至第二高浓度扩散层的第二低浓度扩散层的尺寸大于从上述半导体衬底表面上的上述第一栅极至第一高浓度扩散层的第一低浓度扩散层的尺寸。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||