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<p>Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Fluidbauelements mit einer Fluidstruktur (16), die eine aktive Höhe (d) aufweist, wird ein Basiswafer mit einem Tr'gersubstrat, einer Isolatorschicht auf dem Trägersubstrat und einer Strukturschicht auf dem Trägersubstrat bereitgestellt, wobei die Dicke der Strukturschicht die aktive Höhe (d) der Fluidstruktur bestimmt. Hierauf wird in der Strukturschicht des Basiswafers die Fluidstruktur erzeugt, welche sich durch die Halbleiterschicht hindurch erstreckt. Dann wird eine transparente Scheibe (20) aufgebracht, so daß die Fluidstruktur (16) abgedeckt ist. Anschließend werden von der Rückseite aus das Trägersubstrat und die Isolatorschicht entfernt, so daß die Fluidstruktur an einer zweiten Oberfläche der Strukturschicht freiliegt. Schließlich wird eine zweite transparente Scheibe (22) auf der freiliegenden zweiten Oberfläche der Halbleiterschicht aufgebracht, so daß die Fluidstruktur abgedeckt ist. Der wesentliche Parameter des Fluidbauelements, nämlich die aktive Höhe der Fluidstruktur, muß nicht mehr unter Verwendung der Ätzparameter gesteuert werden, sondern ist bereits durch die Spezifikationen des Ausgangsmaterials, z. B. eines SOI-Wafers, festgelegt. Damit können preisgünstige Fluidbaulemente mit hoher Präzision hergestellt werden.</p> |
