| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer Speicherelektrode eines DRAM-Zellenkondensators |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19848782(C2) |
申请公布日期 |
2002.06.13 |
| 申请号 |
DE19981048782 |
申请日期 |
1998.10.22 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, KYU-HYUN |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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